纳微半导体发布新一代650V MPS™ SiC碳化硅二极管

半导体产业网讯：5月8日，纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二极管，可有效满足数据中心、工业电机驱动、太阳能和消费电子等要求严格的应用需求。

这款650伏的混合式PIN-肖特基 (MPS)二极管采用独特的PiN-Schottky结构，提供低内置电压偏置（低门槛电压）以实现在各种负载条件下的最高效率和卓越的鲁棒性。应用领域包括服务器/电信电源的PFC电路、工业电机驱动、太阳能逆变器、LCD/LED电视和照明。

部分GeneSiC功率器件应用场景

GeneSiC MPS的独特设计，结合了PiN和肖特基二极管结构的优点，产生仅有1.3V的最低正向压降、高浪涌电流（IFSM）和开关损耗随温度变化小。专有的薄片技术进一步降低了正向电压，并很好地提升散热性能GeneSiC二极管先期提供表面贴装QFN的封装。

为确保能在关键应用中可靠运行，第五代650 V MPS二极管具有一流的鲁棒性和耐久性 ，具备高浪涌电流和雪崩能力，并通过100%雪崩（UIL）生产测试。

从4A到24A的容量，采用表贴封装（QFN，D2-PAK）和插件（TO-220，TO-247）封装形式，GExxMPS06x系列MPS二极管覆盖了从300W到3000W的应用范围，并适用于多种电路，如太阳能电池板升压转换器以及游戏机中的连续电流模式的功率因数校正电路（PFC）。TO-247-3封装形式是“共阴极”配置，为交错式PFC拓扑结构的高功率密度和材料降本提供了很大的灵活性。

纳微半导体副总裁兼中国区总经理查莹杰表示：“纳微正在为类似于AI，ChatGPT等火热应用背后的数据中心电源提供可靠，领先的解决方案。高效的、温控良好的、可靠的器件运行能力，保证了更长使用寿命，从而让电源设计师更放心地发挥，进一步缩短他们的原型设计周期，加快产品上市时间。”

审核编辑 ：李倩