0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

高镍正极在满电状态下的降解机理及锑掺杂改性

清新电源 来源:清新电源 2023-05-04 09:46 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

研究背景

与实验室测试条件不同的是,实际应用中,电池通常不会在充满电后立即放电,而是在使用前(满电状态下)搁置一段时间。这种满电状态的搁置将对正极材料施加巨大的电化学应力,导致许多富镍层状氧化物在很大程度上发生降解,导致电池使用寿命下降以及失效。

成果简介

近日,美国陆军研究实验室Jan L. Allen教授,利用一系列的TOF-SIMS和HR-TEM结构分析等表征工具,揭示了满电状态下电池失效的机理,并采用锑掺杂,来降低晶界区过渡金属层的晶格不稳定性,缓解正极-电解质界面的结构降解。该工作以“Degradation of High Nickel Li-Ion Cathode Materials Induced by Exposure to Fully-Charged State and Its Mitigation“为题发表在Advanced Energy Materials上。

研究亮点

探究了满电状态下高镍正极材料的降解机理;

采用锑掺杂以改善满电状态下高镍材料的晶格不稳定性;

为实际应用中锂离子电池的设计和理解开辟新的途径。

图文导读

[Sb掺杂对NCM90材料的影响] NCM90颗粒由不规则形状的多边形颗粒组成,内部存在较多的空隙(图1 a)。而Sb-NCM90颗粒由细长的纳米颗粒组成,颗粒堆积紧密(图1 b)。这种形态差异很可能源于Sb在烧结过程中充当抑制剂以降低一次颗粒的结晶性。这两种正极材料在初始充放电期间没有明显差异(图1 c),提供相似的容量233 mAh g-1。但随着充放电次数的增加,NCM90材料的容量迅速衰减(图1 d)。这主要由于在4.1-4.3 V的电压窗口中,H2-H3相变的不可逆退化(图1 e-g)。相比之下,截止电压为4.1 V的NCM90和Sb-NCM90材料可以避免不可逆退化的H2-H3相变,呈现出基本相同的容量保持率。这意味着大部分的性能退化来自于高电压下(> 4.1 V)的H2-H3相变(图1 h)。

ff0ae6c4-e84a-11ed-ab56-dac502259ad0.png

图1 a)NCM90和b)Sb-NCM90的横截面SEM图;c)30 °C下0.1 C倍率第一圈充放电曲线;d)4.3 V的截止电压下0.5 C倍率的循环性能;e)NCM90和f)Sb-NCM90的微分电容曲线以及对应的g)H2-H3相变归一化峰面积;h)4.1 V的截止电压下0.5 C倍率的循环性能

[满电状态对高镍材料的影响]

为了从不同的角度研究满电状态对高镍正极材料的影响,作者对4.3 V充电状态后的新鲜电池和4.3 V充电状态后静置10天的电池进行对比。SEM图显示(图2 a),充电状态后新鲜电池的NCM90颗粒在充电至4.3 V后出现大量的晶间裂纹。在4.3 V下静置10天后,NCM90颗粒中的裂纹得到了明显的扩展,微裂纹网络沿着晶界延伸到颗粒表面,颗粒完整性遭到了严重的破坏(图2 c)。TOF-SIMs显示NCM90颗粒中的F含量从初始的14.8 %增加到28.7 %,扩大了近两倍(图2 e、g、i)。相应地,NCM90的电荷转移阻抗也由原来的35.8 Ω增加到110.1 Ω(图2 j、l)。由此可观察到,满电状态对高镍正极材料的结构起到严重的破坏性。

相比之下,4.3 V充电状态后新鲜电池以及4.3 V充电状态后静置10天的Sb-NCM90材料的晶间裂纹的情况明显优于NCM90(图2 b、d)。静置10天前后,Sb-NCM90材料中的F含量(图2 f、h、i)和电荷转移阻抗(图2 k、l)均明显低于NCM90,这得利于Sb元素的掺杂作用。

ff150dde-e84a-11ed-ab56-dac502259ad0.png

图2 a)NCM90和b)Sb-NCM90电极在4.3 V充电状态后拍摄的横截面SEM图;c)NCM90和d)Sb-NCM90电极在4.3 V充电状态后静置10天后拍摄的横截面SEM图;e)NCM90和f)Sb-NCM90电极在4.3 V充电状态后测试的TOF-SIMs;g)NCM90和h)Sb-NCM90电极在在4.3 V充电状态后静置10天后测试的TOF-SIMs;i)根据TOF-SIMs计算所得的F含量;j)NCM90和k)Sb-NCM90的EIS以及对应的l)Rct值;m)NCM90和Sb-NCM90的放电容量

[满电状态下Sb的掺杂作用]

为了进一步探究Sb-NCM90材料在满电状态下的失效机理,以及Sb元素的掺杂作用,作者进行了TEM分析。如图3 a-b所示,NCM90材料表面存在十几 nm的Fm-3m岩盐结构的NiO,该岩盐相具有较差的导电性,这是界面电荷转移阻抗增加的原因。然而,Sb-NCM90材料内部呈现排列有序的R-3m层状结构,但材料表面存在局部的Li/Ni混排,这是由于Sb5+的掺杂作用,为了保持电中性,处于不稳定态的Ni3+容易被还原成Ni2+。导致材料表面5 nm的范围内存在岩盐-层状结构的混合相,该混合相可以防止Sb-NCM90材料在满电状态下的结构坍塌(图3 c-e)。此外,TEM-EDS显示(图3 f-g),Sb主要存在于NCM90材料的晶界处。

ff2646ee-e84a-11ed-ab56-dac502259ad0.png

图3 a-b)NCM90在充电状态下静置3h并经过100圈循环后的TEM图;c-e)SB-NCM90在充电状态下静置3h并经过100圈循环后的TEM图;f)循环前Sb-NCM90的Ni、Co、Mn和Sb的TEM-EDS元素映射和g)晶界处Sb的线扫结果

为了确定Sb掺杂剂在NCM90材料中诱导长程有序取代的倾向,作者进行了密度泛函理论(DFT)计算研究Li/Ni混排能。相对于NiO6八面体,SbO6八面体中每个O平均增加0.18个电子,表明Sb-O键比Ni-O键具有更强的键能(支撑信息)。以前的研究认为,更强的Sb-O键更能抑制充放电过程中正极材料的氧损失。图4 a表明,原始的NCM90材料的Li/Ni混排能发生在0.90-1.12 eV的相对较窄范围内。然而,Sb-NCM90材料的Li/Ni混排能分布要宽得多,存在于0.22-0.89 eV的宽范围内。表明,Sb5+存在能够降低Li/Ni混排能,在一定程度上促进Li/Ni混排的发生,形成岩盐-层状混合相。

ff3719ec-e84a-11ed-ab56-dac502259ad0.png

图4 a)由DFT计算所得的Li/Ni混排能量图;b)Li48SbNi47O2结构中单个Li/Ni交换的最低能量结构(Ni与Sb同层);c)Li48SbNi47O2结构中单个Li/Ni交换的最低能量结构(Ni与Sb不同层)

总结与展望

在锂离子电池的实际应用背景下,这项工作探讨了在4.3 V的截止电压下满电状态的搁置时间对LiNi0.90Co0.05Mn0.05O2正极材料的结构和性能的影响,这是典型的实验测试条件所忽略的。材料的恶化源于高压满电状态下电解液的氧化分解,导致界面电荷转移阻抗的增加。此外,电解液还会沿着晶界进入正极颗粒内部,侵蚀NCM90颗粒并扩大材料的晶间裂纹。为了缓解材料的退化,作者采用Sb掺杂,Sb5+通过降低晶界处的Li/Ni混排能,在一定程度上促进Li/Ni混排的发生,在材料表面形成5 nm左右的岩盐-层状混合相,起到保护NCM90材料的作用。






审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 锂离子电池
    +关注

    关注

    85

    文章

    3564

    浏览量

    81315
  • 电解质
    +关注

    关注

    6

    文章

    842

    浏览量

    21580
  • TEM
    TEM
    +关注

    关注

    0

    文章

    123

    浏览量

    11196
  • TOF
    TOF
    +关注

    关注

    9

    文章

    553

    浏览量

    38710

原文标题:美国陆军研究实验室Jan L. Allen教授:高镍正极在满电状态下的降解机理及锑掺杂改性

文章出处:【微信号:清新电源,微信公众号:清新电源】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    什么是射频同轴线缆的“相位稳定”?TNC连接线弯曲状态下的信号偏移实测

    相位稳定是衡量射频链路可靠性的关键维度,直接关系到测量精度与系统同步。本文解析了同轴线缆弯曲时产生相位偏移的物理机理,并通过实测对比展示了 TNC 螺纹锁紧结构维持电长度恒定方面的技术优势。德索
    的头像 发表于 04-16 16:26 175次阅读
    什么是射频同轴线缆的“相位稳定”?TNC连接线<b class='flag-5'>在</b>弯曲<b class='flag-5'>状态下</b>的信号偏移实测

    PMOS管关闭状态下Vgs和Vds过压损坏分析

    PMOS通常用在高端开关、源极接电源、栅极驱动电压相对源极为负,且工作关闭状态下电压应力最大,容易导致Vgs过压(栅源击穿)、Vds(漏源击穿)。以下分别分析两者被击穿的原因:核心状态:关闭
    的头像 发表于 04-15 15:41 261次阅读
    PMOS管<b class='flag-5'>在</b>关闭<b class='flag-5'>状态下</b>Vgs和Vds过压损坏分析

    正极化学机械行为低堆叠压力对锂金属全固态电池性能的作用

    ,本文研究揭示了正极化学机械行为低堆叠压力对锂金属全固态电池性能的决定性作用。正极化学机械行为的各向异性MillennialLithium
    的头像 发表于 03-10 18:04 432次阅读
    <b class='flag-5'>正极</b>化学机械行为<b class='flag-5'>在</b>低堆叠压力<b class='flag-5'>下</b>对锂金属全固态电池性能的作用

    DZ-TGA201热重分析仪改性材料中的应用

    的DZ-TGA201热重分析仪,以其高精度检测、自动化操作及宽泛的温度范围,聚合物基复合材料、改性塑料、防腐涂料等领域展现出独特应用价值,为材料改性技术升级提供
    的头像 发表于 01-30 14:42 295次阅读
    DZ-TGA201热重分析仪<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>改性</b>材料中的应用

    揭秘电池电极材料产气机理:磷酸铁锰锂电池失效分析与改性策略

    传统的磷酸铁锂(LFP)电池已逐渐触及性能天花板,丰富且低成本的磷酸铁锰锂正极材料凭借其更高的电压平台和成本优势,成为极具竞争力的候选者。然而,LFMP电池循环过程中面临着严峻的产气挑战,尤其是
    的头像 发表于 01-08 18:02 882次阅读
    揭秘电池电极材料产气<b class='flag-5'>机理</b>:磷酸铁锰锂电池失效分析与<b class='flag-5'>改性</b>策略

    TOPCon和HJT两种主流钙钛矿/硅叠层界面稳定性的降解机理

    大规模应用的关键瓶颈。性能衰减主要源于复杂的界面失效:光照和湿热等运行应力,钙钛矿层与硅衬底之间的埋底界面会发生明显的协同降解。美能温湿度综合环境试验箱专为验证
    的头像 发表于 12-29 09:04 516次阅读
    TOPCon和HJT两种主流钙钛矿/硅叠层界面稳定性的<b class='flag-5'>降解</b><b class='flag-5'>机理</b>

    功率半导体的N和P掺杂浓度技术探讨

    01 导率型号的符号上去的, 表示电导型号的符号上的, 用来表示掺杂水平。 - 和 P  表示具有比临近区域更 掺杂水平的N和P层N+ 和 pr 表示具有比临近区域更 掺杂水平的N和P层 02 N-
    的头像 发表于 12-26 14:20 572次阅读
    功率半导体的N和P<b class='flag-5'>掺杂</b>浓度技术探讨

    条件判断法来实现状态

    是没有意义的。 例如在程序清单 List4中,如果 E2、······ Em 对处在 S0 状态下的系统没有意义,那么 S0 的 case 下有关事件E2、······ Em 的代码根本没有必要写,状态
    发表于 12-09 08:18

    深度休眠状态下外部所有的IO都可以唤醒MCU吗?

    深度休眠状态下,外部所有的IO都可以唤醒MCU吗?
    发表于 12-04 06:00

    高分子材料紫外太阳光模拟的化学降解实验

    工具。紫创测控luminbox下文将系统阐述太阳光模拟器高分子材料紫外光化学降解实验中的重要应用以及实验数据解析。紫外光化学降解的分子层面挑战luminbox高分
    的头像 发表于 11-19 18:03 407次阅读
    高分子材料<b class='flag-5'>在</b>紫外太阳光模拟<b class='flag-5'>下</b>的化学<b class='flag-5'>降解</b>实验

    微量掺杂元素半导体器件发展中的作用

    类型与载流子浓度。通过对掺杂种类、含量及分布形态的精确分析,可实现器件导电性能的定向设计,例如提升晶体管开关速度、降低功耗。光电器件中,微量掺杂同样具有关键作用
    的头像 发表于 08-27 14:58 1231次阅读
    微量<b class='flag-5'>掺杂</b>元素<b class='flag-5'>在</b>半导体器件发展中的作用

    锂离子电池正极材料之一:三元化的研究现状

    新能源汽车蓬勃发展的当下,锂电池作为其核心动力源,其性能的优劣直接关系到车辆的续航里程、使用寿命等关键指标。而锂电池正极材料,更是决定电池性能的关键因素之一。因此研究正极材料的结构退化机理
    的头像 发表于 08-05 17:52 2672次阅读
    锂离子电池<b class='flag-5'>正极</b>材料之一:三元<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>镍</b>化的研究现状

    聚氨酯研磨垫磨损状态与晶圆 TTV 均匀性的退化机理及预警

    摘要 本文围绕半导体晶圆研磨工艺,深入剖析聚氨酯研磨垫磨损状态与晶圆 TTV 均匀性的退化关系,探究其退化机理,并提出相应的预警方法,为保障晶圆研磨质量、优化研磨工艺提供理论与技术支持。 引言
    的头像 发表于 08-05 10:16 1163次阅读
    聚氨酯研磨垫磨损<b class='flag-5'>状态</b>与晶圆 TTV 均匀性的退化<b class='flag-5'>机理</b>及预警

    NVMe高速传输之摆脱XDMA设计之十:NVMe初始化状态机设计

    进入ENABLE_CC状态。 ENABLE_CC:NVMe控制器启动状态。该状态下配置BAR空间的控制器配置寄存器的Enable字段为1,并等待控制器状态寄存器的Ready字段置
    发表于 07-05 22:03

    激光焊接技术焊接网的工艺应用

    随着新能源、化工过滤等领域的快速发展,网作为功能性材料,因其耐腐蚀、导电性及多孔结构特性,被广泛应用于电池集流体、催化剂载体及精密过滤装置中。激光焊接技术凭借其高能量密度、局部热输入及微米级加工
    的头像 发表于 06-30 15:45 836次阅读
    激光焊接技术<b class='flag-5'>在</b>焊接<b class='flag-5'>镍</b>网的工艺应用