新一代存储芯片将打破现有模式？它们会成为主导者吗？

相信电子行业的伙伴们都知道三星和SK海力士，在存储芯片领域中也是其中的佼佼者，在行业内排名前两位。据媒体报道，这两家巨头正在加速3D DRAM的商业化，以改变内存行业的游戏规则。事实上，在DRAM行业排名第三的美光公司从2019年就开始了3D DRAM的研究，并获得了三星和SK海力士的两到三倍的专利。

据《韩国商业报》报道，业内人士透露，三星和SK海力士高管在最近的一些官方活动中使用了3D DRAM，以此来克服DRAM的物理限制。三星表示，3D DRAM是未来半导体行业的增长动力。SK海力士认为，大约在明年，3D DRAM的电气特性细节将被公开，从而确定其发展方向。

3D DRAM是一种具有新结构的内存芯片，它打破了原有的模型。目前，DRAM产品开发的重点是通过减小电路的行宽来提高密度。然而，当行宽进入10nm的范围内，物理约束，如电容泄漏和干涉显着增加。为此，业界推出了高k材料和极紫外线（EUV）设备等新材料和新设备。但是，对于各个DRAM厂商来说，要做出10nm或者更先进的小芯片，仍然是一个巨大的挑战。

与目前的DRAM市场不同，3D DRAM领域暂时没有绝对的领导者。美光在3D DRAM技术竞争中起步较早，拥有更多的专利。三星和SK海力士可能会加快3D DRAM的商业化进程，尽快进入量产阶段，从而更早抢占市场。

目前，三星和SK海力士生产的最先进的DRAM都采用了12nm左右的工艺。考虑到距离10nm越来越近，在未来三到四年内，采用新结构的DRAM芯片的商业化几乎是必然的。而不是选择。那么日后三星和SK海力士会不会成为DRAM芯片的主导者呢？让我们拭目以待！

审核编辑黄宇