台积电NIL等下一代光刻专利遥遥领先于三星热

据EDN电子技术设计了解， TechInsights日前报道称表示，在包括EUV在内的下一代光刻技术方面，台积电拥有的专利数量远超三星电子，台积电拥有 448 项专利，其竞争对手三星电子275项，台积电多约 170 项。

涉及EUV的主要公司包括全球唯一的EUV光刻设备制造商ASML、ASML主要合作伙伴的光学公司卡尔蔡司，以及通过EUV工艺制造半导体的台积电和三星电子。

目前，这四家公司的EUV光刻专利的总数为1114件。其中，卡尔蔡司（353例）和ASML（345例）占据了相当大的比例。台积电在晶圆代工界排名第一，也拥有279项专利。三星电子记录了 137 起相关专利，是其主要竞争对手台积电的一半。

尽管 EUV 正朝着全面商业化的方向发展，并受到半导体行业的广泛关注，但半导体生产商对 NIL（纳米压印）和 DSA（引导自组装）等替代技术的研究和开发也很积极。这是因为EUV设备价格非常昂贵，且供应链也很有限。

在 NIL 中，将光刻胶 （PR） 涂在晶圆上，然后压上印有特定图案的印模以形成电路。因为它不使用镜头，所以可以以比现有曝光工艺更低的成本实现精细工艺。DSA是一种使用化学材料形成图案的方法，与现有的曝光工艺相比，这也有利于降低成本。但是NIL和DSA由于不满足缺陷控制等可靠性要求，目前还处于研发阶段。

佳能拥有的NIL光刻技术专利数量为913件，无人能及。台积电和三星电子分别拥有145项和70项专利。但在DSA光刻专利方面，三星电子拥有68项专利，领先于台积电的24项专利。

TechInsights表示，“台积电是领先的先进光刻技术研发代工厂，在EUV上投入最多，但在NIL和DSA上也非常重视。虽然与台积电相比有差距，但积极争取专利。”

与此同时，北美的主要半导体公司，如英特尔、IBM、Global Foundry，专利持有量均在前10名之外。

值得一提的是，我国中科院积极投入EUV相关技术开发，因此数据显示中科院EUV/NIL/DSA专利数量直到最近一直在持续增加。

审核编辑 ：李倩