高K介质 (High-k Dielectric)和替代金属栅 (RMG)工艺
2007年,Intel 公司宣布在 45nm CMOS 工艺节点上成功地使用高k氧化铪基(Hf-oxide Based)介质和金属栅工艺,可以显著减少栅介质泄漏电流和增加栅导电能力。
但高k氧化铪基栅介质较易被源漏退火步骤的热过程引起结晶化,导致较大的泄漏电流,因此高k介质金属栅模块工艺需要在源漏之后再形成,这被称为后栅(Gate Last)工艺或替代金属栅 ( Replacement Metal Gate, RMG)工艺,如图所示。
因此,高k介质(如 HfO2、HfSiOx、HfSiON)和金属栅(如TiN、TiAl、Al 或W等)模块便成为 32nm/28nmn 和更先进节点上的标准配备;后栅工艺或替代金属栅工艺也成为产业界先进 CMOS 工艺节点(28nm 节点之后)采用的主流工艺方案。
审核编辑:刘清
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原文标题:中段集成工艺(MOL Integration Flow)- 2
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