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使用PLTS去嵌方法和探针校准片SLOT校准测试结果对比

高频高速研究中心 来源:高频高速研究中心 作者:迪赛康科技 2022-12-08 15:55 次阅读

使用PLTS去嵌方法和探针校准片SLOT校准测试结果对比

01.测试硬件设备

E5071C Keysight---校准软件:PLTS

4端口20GHz网络分析仪,带TDR选件。

适合测试20GHz以内的S参数、阻抗 频域、时域、信号

02.测试环境

03.校准片介绍

43049844-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

探针校准片外观

S代表短路(short),L代表负载(load), O代表开路(open), T代表直通(Thru),校准时根据网分SLOT校准步骤依次将探针分别连接对应的校准模块。本次测试的DUT如上图红框所示

04.测试说明

测试一:先将网分与线缆校准后,然后连接两个探针测试DUT,将两个探针的S参数、两个探针+DUT的整体S参数分别导出,然后使用PLTS校准软件将探针本身S参数去嵌,得到单独DUT的S参数。

测试二:将线缆连接好两个探针,使用探针校准片进行SLOT校准,校准完成后再将两个探针连接DUT,直接测得DUT的S参数。

05.测试一

第一步:将port1和port2上连接的两个GSG探针对接校准片上的thru校准模块上,测得两个探针本身的S参数,测试结果如下图所示:导出两个探针的S参数文件2PRO-S。

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--测试结果--

第二步:将port1和port2上连接的两个GSG探针对接校准片上的DUT上测得两个探针和DUT的整体S参数,测试结果如下图所示:导出整体S参数文件2PRO+DUT。

44e37716-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

测试结果

第三步:将第一步得到的S参数文件2PRO-S导入plts中,用plts将2PRO-S分成左右两个S2P文件用于去嵌,具体操作如下图所示,点击APPLY后得到两个S2P文件, 2PRO-S_1和2PRO-S_2,用于后续去嵌操作。

4504dc6c-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

第四步:将第二步得到的S参数文件2PRO+DUT导入plts中,用plts将左右两个探针的S参数去嵌掉,只保留DUT的测试结果,具体操作如下图所示,点击APPLY后得到只包含DUT的S参数结果。

45241244-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

测试一

去嵌后测试结果

455b5358-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

插损测试结果

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回损测试结果

06.测试二

探针校准片SOLT校准过程

第一步:将port1和port2上连接的两个GSG探针分别对接校准片的O(open)、 S(short)、L(load)、 T(Thru)进行校准,具体操作如下:

45b8918a-75fe-11ed-8abf-dac502259ad0.png

Open校准

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Short校准

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Load校准

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Thru校准

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单击Done,完成校准

SOLT校准完成后检验校准质量

校准完成后,将两个GSG探针连接到探针校准片的thru模块上,然后查看S21及S11性能;校准频段内,其中S21性能在0.05dB以内,S11性能在50dB以下,表示校准质量非常高;本次校准满足S21<-0.05dB,S11>-50dB,校准质量非常不错。

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测试二

使用探针校准片校准测试结果

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插损测试结果

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回损测试结果

07.去嵌法和探针校准片校准两种方法得到的测试结果对比

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结论:

插损:20GHz时,使用两种方式得到的DUT插损测试结果基本一致,相差0.07dB。

回损DC-20GHz内,去嵌方式测得的回损最大值比校准片校准的回损最大值小0.51dB,去嵌方式回损性能略优于探针校准片校准的回损性能,相差不大;但整体的测试曲线走势有较为明显的差异,分析原因是电子校准件和探针校准片的阻抗存在些许差异。

审核编辑:汤梓红

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原文标题:【迪赛康】使用PLTS去嵌方法和探针校准片SLOT校准测试结果对比

文章出处:【微信号:si-list,微信公众号:高频高速研究中心】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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