派恩杰半导体EZ1B封装模块测试评估板-电子发烧友网

派恩杰半导体EZ1B封装模块测试评估板

Easy 1B 封装是一种间接冷却模块设计，适用于印刷电路板（PCB），它也是用于工业和汽车市场恶劣环境的理想封装。

派恩杰设计专用测试评估板可以对模块进行动态参数设计，通过外部PWM信号控制还可以实现功率加载测试，其外观以及相应引脚定义如下所示：

EZ1B封装模块测试评估板

测试原理

双脉冲信号可以使用可编程信号发生器或微控制器/ DSP板生成。由于该测试涉及高开关应力和高电流，建议将双脉冲测试栅极信号设置为单触发模式或使用较长的重复周期（例如>50-100ms），以避免测试过程中电压应力过大。

按照以下说明快速开始评估分SiC 模块，所需设备和部件如下：

• 带宽为500MHz 或更高的四通道示波器

•高带宽（500MHz或更高）无源探头测试Vgs

•高带宽（500MHz）高压探头（>1200V）测试Vds

•高带宽（500MHz）电流同轴分流器，用于测试设备电流 ID

•用于电感电流测量的交流/直流电流探头

•12V 直流电源

•能够产生测试脉冲的信号发生器

•高压电源（0-1000VDC），带电流限制。

•外接功率电感器（推荐空心电感器50-200uH）

用于低边开关QD2测试的双脉冲测试电路如所示，启动过程如下：

1. 将 DUT 和同轴分流器安装到评估板上。

2. 将跳线设置为所需的电源电压，将Drv_Enable信号设置为低电平。

3.连接电源（最高800V），辅助电源12V（0.3A）和钳位电感。函数发生器连接到JM7（PWML），PWMH的信号（JM2的引脚5）应连接到GND。

4. 插入所需的探头（电压/电流）。

5. 在可编程信号发生器中编辑双脉冲波形。使用公式IL=（Vbus*τ1）/L计算第一个脉冲的脉冲宽度，然后用示波器测试双脉冲。

6.上电：打开高压电源的输出。从低电压开始，慢慢地使电压上升，直到达到所需的高电压。在斜坡期间，密切观察示波器上的电压和电流波形。

7.测试：根据要求进行双脉冲测试。

8. 断电：测试完成后，将高压电源电压缓慢降至0V，然后关闭输出。之后，关闭12V偏置电源和信号发生器输出。

PAIA1250AM

测试结果

测试波形如下所示， PNJ的PAIA1250AM（L=100uH，Rg=8.2Ω，Vgs=+15V/-3V）在800V/50A下双脉冲测试的硬开关波形：

开关损耗如下所示：

加载效率测试情况如下所示，PNJ的PAIA1250AM在BUCK模式下，将占空比设置为0.5，输入为800V，输出为400V（外部LC，L=1mH，C=80uF;Rg=5.1Ω，Vgs=+15V/-3V，fs=65/100KHz，死区时间=200ns）

第三代宽禁带半导体材料前沿技术探讨交流平台，帮助工程师了解SiC/GaN全球技术发展趋势。所有内容都是SiC/GaN功率器件供应商派恩杰半导体创始人黄兴博士和派恩杰工程师原创。

黄兴博士

派恩杰总裁 &技术总监

美国北卡州立大学博士，师承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE终身会员，美国科学院院士，IGBT发明者，奥巴马授予国家技术创新奖章）与Dr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 发射极关断晶闸管（ETO）的发明者）。10余年碳化硅与氮化镓功率器件经验，在世界顶尖碳化硅实验室参与美国自然科学基金委FREEDM项目、美国能源部Power America项目，曾任职于Qorvo Inc.、联合碳化硅。2018年成立派恩杰半导体，立志于帮助中国建立成熟的功率器件产业链。

派恩杰半导体

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G 通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。