0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MOSFET的电气特性(静态特性IGSS/IDSS/V(BR)DSS/V(BR)DXS)

是我者也同学 来源:是我者也同学 作者:是我者也同学 2022-11-14 10:54 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

栅极漏电流(IGSS)

当在漏极和源极短路的情况下在栅极和源极之间施加指定电压时产生的漏电流

IGSS测量

4092b748-63c6-11ed-8abf-dac502259ad0.png

漏极截止电流(IDSS)

栅极漏电流(IGSS)

当在漏极和源极短路的情况下在栅极和源极之间施加指定电压时产生的漏电流

IGSS测量

4092b748-63c6-11ed-8abf-dac502259ad0.png

漏极截止电流(IDSS)

40c1748e-63c6-11ed-8abf-dac502259ad0.png

审核编辑 :李倩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电流
    +关注

    关注

    40

    文章

    7227

    浏览量

    141595
  • 栅极
    +关注

    关注

    1

    文章

    188

    浏览量

    21746
  • 源极
    +关注

    关注

    1

    文章

    55

    浏览量

    8574

原文标题:MOSFET的电气特性(静态特性IGSS/IDSS/V(BR)DSS/V(BR)DXS)

文章出处:【微信号:是我者也同学,微信公众号:是我者也同学】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    Onsemi NTD3055 - 094和NVD3055 - 094 MOSFET特性、应用与设计考量

    MOSFET特性、应用和设计要点。 文件下载: NTD3055-094-D.PDF 二、产品概述 2.1 基本参数 电压和电流 :这两款MOSFET的最大漏源电压(V_{(
    的头像 发表于 04-14 10:35 114次阅读

    深度解析NTMFS4D5N08X:性能特性与应用考量

    MOSFET——NTMFS4D5N08X,详细了解它的各项特性和应用注意事项。 文件下载: NTMFS4D5N08X-D.PDF 一、电气特性 1. 耐压与电流能力 NTMFS4D5N
    的头像 发表于 04-13 11:00 162次阅读

    探索 onsemi NTMTS1D6N10MC 功率 MOSFET特性、参数与应用潜力

    NTMTS1D6N10MC 是 onsemi 公司的一款高性能功率 MOSFET,专为满足现代电子设备对高效、紧凑设计的需求而打造。它具有 100V 的漏源击穿电压(V(BR)
    的头像 发表于 04-10 14:05 142次阅读

    探索 onsemi NVMYS2D9N04CL N 沟道 MOSFET特性、参数与应用分析

    是 onsemi 旗下一款性能出色的 N 沟道 MOSFET,具有 40V 的漏源击穿电压(V(BR)DSS),在 10
    的头像 发表于 04-08 16:30 128次阅读

    深入解析NVMYS6D2N06CL MOSFET特性、参数与应用考量

    就来详细剖析一款名为 NVMYS6D2N06CL 的 MOSFET,探讨其电气特性、典型特性以及机械封装等方面的内容。 文件下载: NVMYS6D2N06CL-D.PDF
    的头像 发表于 04-08 16:05 115次阅读

    Onsemi NVD5C486NL N沟道功率MOSFET特性与应用解析

    MOSFET,其具有40V的漏源电压(V(BR)DSS),在10V栅源电压下,漏源导通电阻(RD
    的头像 发表于 04-07 17:20 498次阅读

    深入解析 NVMFD5873NL 功率 MOSFET特性、应用及设计要点

    关断特性 漏源击穿电压(V(BR)DSS) :当 VGS = 0 V,ID = 250 μA 时,最小击穿电压为 60
    的头像 发表于 04-07 16:10 138次阅读

    探索 onsemi NVMYS2D9N04CL N 沟道 MOSFET特性、参数与应用解析

    NVMYS2D9N04CL 是 onsemi 公司生产的一款单 N 沟道功率 MOSFET,具有 40V 的漏源击穿电压(V(BR)DSS
    的头像 发表于 04-02 15:55 237次阅读

    NVTFS6H854N MOSFET特性、参数与应用解析

    探讨一下 NVTFS6H854N 这款 MOSFET特性、参数以及相关应用。 文件下载: NVTFS6H854N-D.PDF 一、关键参数速览 基本参数 V(BR)
    的头像 发表于 04-02 10:55 220次阅读

    探究CSD15380F3 20 - V N - Channel FemtoFET™ MOSFET特性、应用及设计要点

    探究CSD15380F3 20 - V N - Channel FemtoFET™ MOSFET特性、应用及设计要点 电子工程师在进行硬件设计时,对于元器件的性能和特性有着极高的要求
    的头像 发表于 03-05 11:00 209次阅读

    德州仪器DS15BR400/DS15BR401:高速数据传输的理想选择

    德州仪器DS15BR400/DS15BR401:高速数据传输的理想选择 在高速数据传输领域,低抖动、高抗噪性和低功耗的设备往往是工程师们的首选。德州仪器(TI)的DS15BR
    的头像 发表于 12-27 13:45 794次阅读

    探索DS15BR400/DS15BR401:高性能4通道LVDS缓冲器/中继器

    400/DS15BR401 4通道LVDS缓冲器/中继器,凭借其卓越的性能和丰富的特性,成为了众多应用场景中的理想选择。今天,我们就来深入了解一下这两款器件。 文件下载: ds15br401.pdf 产品概述
    的头像 发表于 12-27 11:10 1038次阅读

    深入剖析DS25BR100/101:高速LVDS缓冲器的卓越之选

    、DS25BR100/101的显著特性 高性能信号处理 低抖动与高抗噪 :支持DC - 3.125 Gbps的数据速率,具备低抖动特性,同时拥有高抗噪能力
    的头像 发表于 12-27 09:25 797次阅读

    探索DS25BR150:高速信号传输的理想选择

    ,在这方面表现出色。今天,我们就来深入了解一下这款产品。 文件下载: ds25br150.pdf 一、DS25BR150的产品特性 1. 高速低抖动 DS25BR150能够实现DC -
    的头像 发表于 12-26 14:30 273次阅读

    深度剖析DS64BR111:高速通信领域的低功耗利器

    6.4Gbps 2通道中继器,凭借其出色的性能和丰富的特性,为这一难题提供了优秀的解决方案。本文将深入剖析DS64BR111的各项特性、应用场景以及设计要点,希望能为电子工程师们在实际设计中提供有价值的参考。 文件下载: ds6
    的头像 发表于 12-23 17:40 652次阅读