CMOS的NOR门和NAND门

NOR gate

OR操作，即是

C=A+B

NOR操作，即是

那怎么对CMOS反相器的结构，进行修改，使其变为NOR门呢？

首先，

需要两个NMOS器件或者PMOS器件，而且由两个输入控制

再者，

首先考虑NMOS部分，如果其中一个NMOS门是高电平，输出必须保持低电平。如下图所示。

其次，

PMOS部分，如果A为高，B为高，或者A、B均为高时，PMOS部分必须处于关断的状态。而且，如果A和B均为低时，PMOS部分必须为ON的状态。

如下图所示，即满足以上的要求。

把PMOS部分和NMOS部分，结合起来，就成为一个完整的CMOS NOR gate.

从CMOS反相器来构建电路时，天生就带着反相属性，所以，当想要获得OR 门时，则是在NOR门的后面再加一个反相器。

那M1，M2，M3，M4之间的宽度关系是怎么样的呢？

NAND Gate

NAND操作即是，

只有输入A和B都为高的时候，C才是低。

所以，在NMOS部分，应该是，只有A和B都为高的时候，才打通，使得Vout连接到地上。

如下图所示。

而PMOS部分，当A为低，B为低，或者A、B均为低时，PMOS能够将Vout与VDD连接。

将NMOS和PMOS部分合并，即称为一个完整的CMOS NAND gate，如下图所示。

至于M3，M4，M1，M2之间的宽度关系，推导与NOR gate类似，这边应该都为W。

审核编辑 ：李倩