0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

【干货分享】MOSFET测试方案

测量仪表维修中心 2022-11-01 13:28 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

你知道什么是MOSFET吗?MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。

MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是常见的半导体器件,可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中。一般由Source(源极), Drain(漏极),Gate(栅极),Bulk(体电极)组成。MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管等材料制作,是材料及器件研究的热点。

0c8c2f1c-59a6-11ed-b468-dac502259ad0.png

MOSFET有以下测试难点

1.由于MOSFET是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。

2.MOSFET的漏电越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。

3.MOSFET动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。

4.随着MOSFET特征尺寸越来越小,自加热效应成为影响MOSFET可靠性的重要因素。

脉冲测试可以减少自加热效应。所以MOSFET需要进行脉冲 IV测试,用以评估器件的自加热特性。

5.MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。

所以MOSFET的电容测试非常重要。由于MOSFET的电容是非线性,且不同频率下曲线不同,所以需要能进行多频率,多电压下的CVU进行测试。

针对这些问题,安泰仪器服务中心提供了以下的测试方案:

测试设备安泰推荐仪器:4200A-SCS

0caa3a52-59a6-11ed-b468-dac502259ad0.png

并加配:中功率SMU/高功率SMU/电容测试单元CVU/超快脉冲测试单元PMU/切换开关等

测试载台:探针台/测试夹具

测试设备:2600-PCT,可选配:200V/10A低压基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高压配置、3000V/50A高压高流配置。

测试载台:高功率探针台/测试夹具

安泰仪器服务中心提供的这台参数分析仪具有以下优势:

1、集成化的测试系统,直流测试/CV测试/脉冲IV测试集于一体,9个卡槽灵活配置测试模块;

2、最小电流测试精度10fA,最大电压210V;四线法配置+40V差分脉冲,最小脉宽10ns,200M采样率,任意波形编辑功能;

3、自带Clarius操作软件,图形化设计,简单易懂;丰富的测试库直接用,减少测试配置时间;

4、多种切换开关,支持SMU/PMU/CVU的自动切换,消除换线烦恼;

5、提供低漏电矩阵开关,为自动化,高密度,大批量测试提供支持;

6、开放设备底层指令,附带编译软件,支持自编程

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 测试
    +关注

    关注

    9

    文章

    6521

    浏览量

    131803
  • MOSFET
    +关注

    关注

    152

    文章

    10906

    浏览量

    235603
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    电子工程师干货:NTMFS4C08N MOSFET深度剖析

    电子工程师干货:NTMFS4C08N MOSFET深度剖析 作为电子工程师,在设计电路时,MOSFET的选择至关重要。今天,给大家详细介绍一款性能出色的单N沟道功率MOSFET
    的头像 发表于 04-13 11:40 282次阅读

    PG-1000脉冲发生器在非易失性存储器(NVM)及MOSFET测试的应用

    化合物为核心,利用材料晶态与非晶态的电阻差异存储数据,不同电压脉冲可实现两种状态的相互转换(二)MOSFET测试痛点与方案现代MOSFET采用高κ材料作电介质,易出现电荷俘获问题,导致
    发表于 03-09 14:40

    MOSFET相关问题分享

    1.Q:并联使用MOS存在一些问题,那我们要怎样做才能避免这些问题? A:首先,器件的一致性一定要好。在功率MOSFET多管并联时,器件内部参数的微小差异就会引起并联各支路电流的不平衡而导致单管过流
    发表于 01-26 07:46

    NCEPOWER新洁能推出锂电池保护应用原理分析及沟槽型MOSFET对应方案~

    NCEPOWER新洁能推出锂电池保护应用原理分析及沟槽型MOSFET对应方案~
    的头像 发表于 01-16 17:47 1904次阅读
    NCEPOWER新洁能推出锂电池保护应用原理分析及沟槽型<b class='flag-5'>MOSFET</b>对应<b class='flag-5'>方案</b>~

    EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板:2000V CoolSiC™ MOSFET的理想测试平台

    EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板:2000V CoolSiC™ MOSFET的理想测试平台 在电力电子领域,工程师们一直在寻找性能更优、可靠性更高的功率器件及测试方案。今天
    的头像 发表于 12-19 17:00 840次阅读

    为什么超级结 GaN Sic能避免热损耗? #MOS #MOS管 #mosfet #mosfet工作原理

    MOSFET
    微碧半导体VBsemi
    发布于 :2025年12月05日 17:43:24

    智能座舱车内声学/调音测试方案

    汽车行业的不断改进推动了声学技术的发展。更好的音响系统和降噪解决方案、语音命令和先进的信息娱乐系统都指向同一个目标:对更精确的声学测试、全新的测试方法和更可靠的数据提出了更高的要求。解决方案
    的头像 发表于 12-01 17:05 1036次阅读
    智能座舱车内声学/调音<b class='flag-5'>测试</b><b class='flag-5'>方案</b>

    WIFI耦合测试方案详解

    干扰其他设备易引发信道争抢、上网卡顿。 传统屏蔽箱吞吐量测试虽能反映实际体验,但批量生产场景中存在效率低、占地广的问题。RF功率耦合测试方案可实现1拖16批量测试,既保证射频参数的真实
    发表于 12-01 10:40

    功率MOSFET管的应用问题分析

    。选取相关元件参数后,对电路进行测试,直到满足设计要求。负载开关稳态功耗并不大,但是瞬态功耗很大,特别是长时间工作在线性区,会产生热失效问题。因此,要校核功率MOSFET管的安全工作区SOA性能,同时
    发表于 11-19 06:35

    Combo FTTR双模融合测试方案详解

    面临如下核心挑战:1.工序繁琐​:传统测试方案4个工序 单模FTTR ONU口仅需2道工序。Combo FTTR因双模式都需要独立测试,工序暴增至4步。工序数量增加2个,线体长度同步增加4米以上
    发表于 11-11 17:03

    精彩回顾 | TOSUN同星闪耀2025上海汽车测试展,OTA测试解决方案备受瞩目

    重磅呈现,其中创新的OTA测试解决方案尤为亮眼,成功聚焦了全场目光,引得众多行业专家与专业观众纷纷驻足交流。技术盛宴,干货满满展会期间,TOSUN同星在官方技术展
    的头像 发表于 09-01 20:03 1114次阅读
    精彩回顾 | TOSUN同星闪耀2025上海汽车<b class='flag-5'>测试</b>展,OTA<b class='flag-5'>测试</b>解决<b class='flag-5'>方案</b>备受瞩目

    BASiC_62mm SiC MOSFET半桥模块和驱动方案介绍

    BASiC_62mm SiC MOSFET半桥模块和驱动方案介绍
    发表于 09-01 15:23 0次下载

    技术干货 | 精准测试,高效分析——ADC直方图测试技术详解

    本章详解ADC线性度测试的两种核心方法:线性斜坡法和正弦波法,涵盖DNL/INL计算、测试参数优化及德思特高精度测试方案,助您快速掌握ADC性能评估关键技术。
    的头像 发表于 07-07 10:40 1089次阅读
    技术<b class='flag-5'>干货</b> | 精准<b class='flag-5'>测试</b>,高效分析——ADC直方图<b class='flag-5'>测试</b>技术详解

    一副AI眼镜需要用到多少个MOSFET? #MOSFET #AI眼镜 #小米ai眼镜 #半导体 #应用

    MOSFET
    微碧半导体VBsemi
    发布于 :2025年06月28日 17:32:08

    德思特方案 EMI兼容测试方案——匹配不同测试标准,准确高效!

    本文介绍EMI预兼容测试方案。近场测试适用于产品开发阶段辐射发射测试,可定位辐射源、节省成本。辐射发射测试常用频段30MHz - 1GHz,
    的头像 发表于 06-17 15:54 946次阅读
    德思特<b class='flag-5'>方案</b> EMI兼容<b class='flag-5'>测试</b><b class='flag-5'>方案</b>——匹配不同<b class='flag-5'>测试</b>标准,准确高效!