键合技术是 MEMS 工艺中常用的技术之一,是指将硅片与硅片、硅片与玻璃或硅片与金属等材料通过物理或化学反应机制紧密结合在一起的一种工艺技术。
在MEMS 制造中,为实现复杂的微结构悬空和器件封装等工艺,键合技术快速发展出了静电键合技术、热键合技术和金硅键合技术等,并充分结合表面硅加工技术与体硅加工技术。其中,静电键合技术和热键合技术是 MEMS 制造中的常用技术。
1. 静电键合技术
静电键合技术最早是由 Wallis 和 Pomerantz于 1969 年提出。静电键合技术充分利用键合材料中杂质在静电场下向电极偏移的现象,在键合界面处留下耗尽区形成强电场,在强静电力的作用下实现材料之间的紧密结合。由于借助强电场作用,该技术又称为场助键合技术或阳极键合技术,广泛应用于玻璃与半导体、金属和合金的键合。
2.热键合技术
热键合技术最早是由 Lasky 提出的。热键合技术借助键合材料表面修饰基团的桥接作用,在高温环境下,键合材料界面处原子间形成强健的共价键,从而实现紧密键合。由于热键合技术仅通过高温实现材料的键合,因此又称为直接键合技术,现已广泛应用于硅与硅、硅与二氧化硅、二氧化硅与二氧化硅等材料之间的键合。
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原文标题:键合技术(Bonding)
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