化合物半导体的特点简介

电子迁移率（electron mobility）高。这个特性带来的功能上的好处是低噪音，高频。比如GaAs是硅的5倍速度。这种半导体可以进行高速运算。

带隙（bandgap）大。这个特性带来的功能上的好处是耐高压（高击传），可以让器件在高电压的条件下工作。

饱和速度（Saturation velocity）高。这个特性带来的功能上的好处是可以实现器件的大功率，高频运作。

吸收光以及发光性。这里的发光是指发出可视光以及红外光。这里的吸收光是指相比较于硅半导体，化合物半导体具有更高的光电转换的效率。

对磁力非常敏感。可以利用这一特性，制造相应的器件用于精密地感知马达的转速。

非常耐热耐高温。相对于硅半导体，化合物半导体具有非常优异的耐辐射性以及耐热性。比如：Si･･･～200℃GaAs･･･～350℃。可以应用于太空中人造卫星用到的太阳能电池系统。

审核编辑：刘清