光谷芯材与昌龙智芯联合发布化合物半导体新品，填补国内高压功率器件空白

近日，在2026年九峰山论坛期间，光谷芯材联合（武汉）科技有限公司与北京昌龙智芯半导体有限公司联合发布两款化合物半导体新品——RF及Power GaN外延片与氧化镓功率器件（覆盖650V-3300V超高压等级），标志着我国在高压功率半导体领域实现关键技术突破，填补了国内在该电压范围的空白。

发布背景：九峰山论坛的产业聚光灯

九峰山论坛作为国内化合物半导体领域的标杆性盛会，2026年4月23日至25日在武汉光谷召开，聚焦“新赛道、新技术、新产品、新市场”主题。本届论坛吸引超1000家企业参展，展览面积达2万平方米，成为展示全自主产业链布局的核心平台。光谷芯材与昌龙智芯选择在此发布新品，既体现了对技术创新的重视，也彰显了面向全球市场的战略野心。

产品特点：GaN与氧化镓的技术突破

RF及Power GaN外延片采用第三代半导体材料氮化镓（GaN），具有宽禁带（3.26eV）、高击穿场强、耐高温、抗辐照等特性。其外延生长在蓝宝石、碳化硅或硅衬底上，通过缓冲层优化与表面处理技术，解决了晶格失配与热膨胀系数差异问题，晶体质量达到行业领先水平。该产品适用于微波射频器件、LED、激光器、功率器件等领域，尤其在5G基站、智能电网等高频高功率场景中表现优异。

氧化镓功率器件覆盖650V-3300V超高压等级，采用“纳米级外延+垂直沟槽结构”工艺，击穿场强超过8MV/cm，导通电阻较传统硅基器件降低80%，开关损耗减少50%，可在175℃高温环境下稳定工作。作为第四代超宽禁带半导体材料，氧化镓的击穿场强是硅的20倍、碳化硅的3倍，理论导通电阻更低，特别适合新能源汽车电机控制器、光伏逆变器、高铁牵引变流器等超高压场景。例如，3300V氧化镓器件可支持800V高压快充平台实现更高功率密度与效率。

行业影响：从“跟跑”到“领跑”的跨越

昌龙智芯此次发布的氧化镓功率器件系列，直接打破了国外厂商在高压功率器件市场的长期垄断。长期以来，国内企业在3300V以上电压等级的器件供应上面临“受制于人”的困境，而此次技术突破不仅实现了“超宽禁带+高击穿场强”的双重优势，更构建了从外延生长、器件设计到模块封装的完整国产化供应链，显著提升了我国在高压功率器件领域的供应链安全性与话语权。

光谷芯材与昌龙智芯通过产业链协同创新，推动了国产功率半导体在超宽禁带材料领域实现从“材料研发”到“器件量产”的完整闭环。据昌龙智芯首席科学家透露，企业正推进氧化镓器件向更高电压（如6500V）及更小尺寸（如0.1μm级栅长）的技术演进，并探索与AI算法结合的智能功率模块设计。

未来展望：高压功率半导体的新纪元

随着“双碳”目标与数字经济驱动，高压功率器件的需求将持续增长。光谷芯材与昌龙智芯的技术突破，不仅为国内战略产业提供了“中国芯”的硬核支撑，更以技术创新推动了全球功率半导体产业的格局重塑。在新能源汽车、智能电网、5G基站等核心场景的规模化应用下，我国有望在高压功率半导体领域实现从“跟跑”到“领跑”的历史性跨越，为全球能源转型与智能社会发展贡献中国智慧与中国方案。

此次联合发布，不仅标志着国产高压功率器件的正式崛起，更预示着化合物半导体产业即将迎来一个由技术创新驱动的新纪元。光谷芯材与昌龙智芯正以实际行动证明：在化合物半导体领域，中国企业已具备从“跟跑”到“领跑”的实力与决心。