最近,据报道,台积电将于2024年收购下一代Asmail的最新极紫外光刻设备,为客户开发相关基础设施和架构解决方案。
据消息称,台积电可能会在2025年正式推出2nm工艺,而市场普遍乐观地认为,台积电的2nm工艺技术正在全面领先三星和英特尔。根据数据,台积电的2nm工艺将采用GAAFET架构,在相同功耗下,该架构比台积电3nm工艺快10%至15%,在相同能耗下低25%至30%。应用包括移动计算、高性能计算和完整的小芯片集成解决方案。
根据之前公布的信息,High NA EUV光刻设备的单价估计为4亿美元(约28亿元人民币),是现有EUV光印设备的两到三倍。据报道,这种新型EUV系统可以实现0.55数值孔径,与之前配备0.33数值孔径透镜(TWINSCAN NXE:3400B和NXE:3400C)的EUV系统相比,精度将得到提高,并且可以实现更高分辨率的图形。
预计N2工艺将于2024年底准备好进行风险生产,并将于2025年底进入大规模生产,客户将于2026年收到首批芯片。
综合超能网、天极网和IT之家整合
审核编辑:郭婷
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