电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在短短几年间,GaN材料就与“快充”这个词紧密关联了起来。在快充需求下,GaN已经几乎在手机、笔记本等设备的充电器上实现普及,从18W到240W的充电器都已经用上GaN器件。而更大功率需求的服务器电源、甚至新能源汽车OBC上也将会用到GaN器件。
不过最近realme发布的一款手机让人感到好奇,据称是全球首发全链路GaN百瓦闪充,还是全球首个内置GaN充电保护的手机,在手机端引进了GaN功率器件。确实,一直以来我们都只在充电器、电源等产品上看到GaN的出现,而手机厂商对快充的宣传,也是针对充电器的。那么手机内置GaN器件,有必要吗?这会成为接下来手机行业的趋势吗?
GaN用在手机上,有什么用?
我们知道,GaN在充电器等应用上,主要是通过GaN材料的特性,使得使用GaN材料的功率开关器件在开关频率、开关损耗、导通损耗等相比硅MOSFET有明显优势,在电路设计中可以大幅缩小变压器尺寸,设计出更高效、功率密度更高的电源。
而根据realme副总裁徐起在发布会上的介绍,“真我GT2大师探索版是全球首个内置GaN充电保护的手机,创新性地将氮化镓引入手机端,大大节省手机内部空间,降低发热峰值,实现了体积降低64%,峰值功率发热降低85%。保证手机在充电过程中更高效,更安全。”
所以GaN引入手机,似乎同样起到缩小体积、提高效率(降低发热)的作用。从这款手机支持100W快充、搭载5000mAh电池的情况下,可以实现机身厚度8.17mm、重量仅195g的轻薄效果,或许说明GaN在手机端上的应用是有实际提升的。
从公开信息了解到,这次被用于手机内的GaN器件是来自国内厂商英诺赛科的BiGaN系列产品之一,此前OPPO就已经展示过英诺赛科BiGaN系列产品中的INN40W08开关器件在其手机主板上的应用。
根据英诺赛科官网上提供的资料,INN40W08支持双向开关,以及超低导通电阻的特性,可以应用在高压负载开关电路、智能手机USB端口的过压保护、以及多电源系统中的开关电路。
过去手机内部的功率开关器件都采用硅基MOSFET,由于快充的需求,硅基MOSFET在手机内部占用体积较大,同时较高的阻抗,使其在目前动辄60W以上的大功率快充应用中,会导致手机快充过程中发热严重。
与此同时,快充的功率,其实在很大程度上受到温度的限制。目前手机快充的峰值功率往往只能维持一分钟左右,因为温控、安全等各种原因,在到达峰值功率一段时间之后就会呈现功率阶梯式下降的趋势。那么如果将手机上的功率开关器件从Si更换成GaN,可以降低快充过程中的发热,也就变相提高快充峰值功率维持的时间,缩短充电时间。
据称,realme利用一颗BiGaN替代之前的共漏连接的背靠背两颗NMOS,实现电池的充电和放电电流的双向开关,使相同占板面积下的导通电阻降低50%,温升降低40%。
GaN器件的应用场景或许还有很大开发潜力
这次OPPO和realme在手机端应用GaN器件,可以称得上开拓了一个新的应用场景,也似乎在提醒着我们,GaN器件的应用场景其实一直还在挖掘的过程之中。
目前GaN器件主要用在充电器、服务器、PC电源等,其中消费电子领域,比如快充等是GaN近几年间增长的最大驱动力。根据Yole Développement数据,2021全球GaN功率器件市场规模为1.26亿美元,预计2021-2027年期间复合年增长率为59%,2027年全球市场规模高达20亿美元。
目前GaN功率器件最大的应用市场是消费电子,比如PC电源、手机充电器等,其次是数据中心、5G通信基站电源等应用。2021年,GaN功率市场中消费电子应用占比约为63%,通信基站、数据中心等应用占比约21%,而工业和汽车应用的占比分别为7%、4%左右。
而汽车市场上,同为第三代半导体的SiC已经开始大规模导入电动汽车,但同时,电动汽车也是GaN功率器件未来最具潜力的市场之一。GaN在电动汽车上可以应用于高压电池以及低压电池的保护、DC-DC转换器、OBC车载充电机、电机驱动模块等领域。
短期来看,GaN功率器件在11kW、6.6kW、22kW的OBC,以及4kW的DC-DC中,相比于SiC具有非常明显的成本优势、系统效率优势、功率密度优势。在电动汽车驱动和电池平台上,目前中高端车型的趋势是800V系统,但由于成本等原因,预计2030年全球范围内主流还会是400V平台。而SiC相比于GaN在功率应用上的优势主要在于1200V以上的超高压,所以在电动汽车上,随着成本、产能等优势凸显,GaN功率器件有望在电动汽车400V平台上得到广泛应用。
实际上GaN功率器件被大规模应用的历史,至今也不过五六年时间。随着GaN上下游玩家的不断增加,以及器件本身价格的持续下降,未来GaN将持续取代传统硅功率器件,并渗透到更多的应用领域。
不过最近realme发布的一款手机让人感到好奇,据称是全球首发全链路GaN百瓦闪充,还是全球首个内置GaN充电保护的手机,在手机端引进了GaN功率器件。确实,一直以来我们都只在充电器、电源等产品上看到GaN的出现,而手机厂商对快充的宣传,也是针对充电器的。那么手机内置GaN器件,有必要吗?这会成为接下来手机行业的趋势吗?
GaN用在手机上,有什么用?
我们知道,GaN在充电器等应用上,主要是通过GaN材料的特性,使得使用GaN材料的功率开关器件在开关频率、开关损耗、导通损耗等相比硅MOSFET有明显优势,在电路设计中可以大幅缩小变压器尺寸,设计出更高效、功率密度更高的电源。
而根据realme副总裁徐起在发布会上的介绍,“真我GT2大师探索版是全球首个内置GaN充电保护的手机,创新性地将氮化镓引入手机端,大大节省手机内部空间,降低发热峰值,实现了体积降低64%,峰值功率发热降低85%。保证手机在充电过程中更高效,更安全。”
所以GaN引入手机,似乎同样起到缩小体积、提高效率(降低发热)的作用。从这款手机支持100W快充、搭载5000mAh电池的情况下,可以实现机身厚度8.17mm、重量仅195g的轻薄效果,或许说明GaN在手机端上的应用是有实际提升的。
从公开信息了解到,这次被用于手机内的GaN器件是来自国内厂商英诺赛科的BiGaN系列产品之一,此前OPPO就已经展示过英诺赛科BiGaN系列产品中的INN40W08开关器件在其手机主板上的应用。
根据英诺赛科官网上提供的资料,INN40W08支持双向开关,以及超低导通电阻的特性,可以应用在高压负载开关电路、智能手机USB端口的过压保护、以及多电源系统中的开关电路。
过去手机内部的功率开关器件都采用硅基MOSFET,由于快充的需求,硅基MOSFET在手机内部占用体积较大,同时较高的阻抗,使其在目前动辄60W以上的大功率快充应用中,会导致手机快充过程中发热严重。
与此同时,快充的功率,其实在很大程度上受到温度的限制。目前手机快充的峰值功率往往只能维持一分钟左右,因为温控、安全等各种原因,在到达峰值功率一段时间之后就会呈现功率阶梯式下降的趋势。那么如果将手机上的功率开关器件从Si更换成GaN,可以降低快充过程中的发热,也就变相提高快充峰值功率维持的时间,缩短充电时间。
据称,realme利用一颗BiGaN替代之前的共漏连接的背靠背两颗NMOS,实现电池的充电和放电电流的双向开关,使相同占板面积下的导通电阻降低50%,温升降低40%。
GaN器件的应用场景或许还有很大开发潜力
这次OPPO和realme在手机端应用GaN器件,可以称得上开拓了一个新的应用场景,也似乎在提醒着我们,GaN器件的应用场景其实一直还在挖掘的过程之中。
目前GaN器件主要用在充电器、服务器、PC电源等,其中消费电子领域,比如快充等是GaN近几年间增长的最大驱动力。根据Yole Développement数据,2021全球GaN功率器件市场规模为1.26亿美元,预计2021-2027年期间复合年增长率为59%,2027年全球市场规模高达20亿美元。
目前GaN功率器件最大的应用市场是消费电子,比如PC电源、手机充电器等,其次是数据中心、5G通信基站电源等应用。2021年,GaN功率市场中消费电子应用占比约为63%,通信基站、数据中心等应用占比约21%,而工业和汽车应用的占比分别为7%、4%左右。
而汽车市场上,同为第三代半导体的SiC已经开始大规模导入电动汽车,但同时,电动汽车也是GaN功率器件未来最具潜力的市场之一。GaN在电动汽车上可以应用于高压电池以及低压电池的保护、DC-DC转换器、OBC车载充电机、电机驱动模块等领域。
短期来看,GaN功率器件在11kW、6.6kW、22kW的OBC,以及4kW的DC-DC中,相比于SiC具有非常明显的成本优势、系统效率优势、功率密度优势。在电动汽车驱动和电池平台上,目前中高端车型的趋势是800V系统,但由于成本等原因,预计2030年全球范围内主流还会是400V平台。而SiC相比于GaN在功率应用上的优势主要在于1200V以上的超高压,所以在电动汽车上,随着成本、产能等优势凸显,GaN功率器件有望在电动汽车400V平台上得到广泛应用。
实际上GaN功率器件被大规模应用的历史,至今也不过五六年时间。随着GaN上下游玩家的不断增加,以及器件本身价格的持续下降,未来GaN将持续取代传统硅功率器件,并渗透到更多的应用领域。
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