Allegro发布面向ADAS应用的新型位置传感器

未来的车辆自动化以及自动驾驶汽车需要具有精确电机控制功能的先进电动助力转向 (EPS) 系统，以及能够快速响应的线控制动或机电制动系统。当今的此类系统通常使用巨磁阻 (GMR) 或霍尔效应传感器，与GMR 和其它同类产品相比，Allegro 创新的硅片隧道磁阻（TMR-on-silicon）技术可提供更高的分辨率和准确度，而灵敏度则提高了八倍，与传统霍尔效应传感器相比，这种新技术在分辨率方面的提高更加明显。

车辆的安全运行要求其安全关键系统具有最高水平的诊断覆盖。A33110 和 A33115器件采用了 Allegro 的 最新VHT技术，可实现准确的安全检查，包括低磁场和磁体缺失检测。这些高分辨率传感器符合 ASIL D 标准，具有异构冗余，通过充分利用TMR技术和VHT的优势，能够降低相关故障的可能性。

Allegro 位置传感器业务部总监 Scott Milne 表示：“随着汽车行业距离完全自动驾驶成为现实越来越近，汽车制造商和一级供应商正在寻找能够提供最高准确性和安全性的位置传感器，同时减少系统占用空间和成本。通过将垂直霍尔元件和 TMR 元件集成在一个封装，Allegro 的新型传感器可提供高分辨率、异构冗余以及集成诊断功能，可使客户完全满足上述市场需求。A33110 和 A33115在市场上同类产品中独具优势，我们认为这些产品能够改变行业的游戏规则。”

A33110 和 A33115通过初级 (TMR) 和次级（垂直霍尔）传感元件提供磁角度感测，每个传感元件包括两个独立处理通道，每个通道都有独立的调节器和温度传感器。这种独特的配置能够实现自动驾驶所需的高水平安全性和诊断覆盖率，包括片上通道间角度比较和数字信号路径中的独立处理，无需共享数字资源。 A33110 和 A33115 中集成的高级算法可提供安全关键ADAS应用所需的快速响应时间、独立增益/偏移校正、角度计算和线性化功能。 A33115 还包括一个90度增量跟踪运动转数计数器和一个用户可编程占空比的低功耗模式，可在 IC 处于关断位置时降低功耗。

审核编辑：汤梓红