NP3401VR 30V p通道增强模式MOSFET

描述

NP3401VR采用了先进的堑壕技术

提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和

工作电压低至2.5V。这

该器件适用于作为负载开关或PWM

应用程序。

一般特征

VDS = -30v, id = -4a

RDS(上)(Typ) = 53米Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 68Ω@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

SOT-23

订购信息

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)

电特性(除非另有说明，TA=25℃)

热特性

注:

a. TC = 25℃。c.t = 5秒。

b.表面安装在1“x 1”FR4单板上。d.稳态条件下的最大值为175°C/W

审核编辑 黄昊宇