IBM提出了一种称为纳米片的技术,可以像堆叠闪存cell一样堆叠晶体管。2纳米测试芯片中有三层晶体管,这被称为2纳米技术,不是因为它的晶体管栅极尺寸实际上是2纳米,而是因为这种3D技术在晶体管速度,密度和功耗方面给出了结果。
对于Power Systems客户而言,重要的是IBM正在与三星合作,并且已经在其位于纽约奥尔巴尼的技术中心以标准300毫米硅晶圆交付了7纳米,5纳米和现在2纳米的测试芯片。
那些所谓的2纳米晶体管的晶体管速度提高了45%,或与该晶体管以相同的速度,但仅使用了75%的功耗,因此使用了极紫外(EUV)光刻技术进行了许多步骤的蚀刻,这是IBM和三星为7纳米工艺创建的。
Power10芯片的这一工艺将于今年晚些时候在大型iron NUMA中使用,明年年初将用于入门机。尽管IBM预计到2024年底将投入生产2纳米技术,但不一定要在Power11上使用它,我们预计它将在成熟的5纳米工艺上使用。
如果我们不得不猜测的话,IBM可能与三星一起使用2纳米技术来制造Power12和z18。
IBM应该知道,因为GlobalFoundries在使用7纳米EUV工艺时遇到的问题迫使他们停止了先进工艺的研发,这驱动IBM投入三星的怀抱,这也是他们唯一的选择。
展望未来,IBM显然将自己定位为帮助英特尔及其英特尔代工服务商的代工业务,我们高度怀疑“蓝色巨人”将需要本机的第二代芯片制造来源,以便可以确保Power11和Power12芯片以及z17和z18芯片,或多或少按计划在本十年末之前投放市场。这几乎是任何人在IT业务中都能看到的。
本文整合自:摩尔芯闻、半导体行业观察
责任编辑:符乾江
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