台积电计划2025年投产2nm芯片
台积电在北美技术论坛上公布未来先进制程路线图，推出首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术的下一代先进工艺制程2nm芯片，预计将于2025年量产，而台积电3nm芯片将于2022年内量产。
台积电3nm技术节点与5nm芯片相比，功耗降低34%，性能提升18%，逻辑晶体管密度提高1.6倍。2nm技术节点与3nm芯片相比，性能速度提升10%-15%，功耗降低25%-30%，采用纳米片晶体管架构。
台积电除了在2025年量产2nm芯片外，还将在2024引入ASML最新一代LHigh-NA EUV光刻机，2025年就会开始用来制造2nm工艺芯片。
综合整理自钛媒体App、Tech情报局
审核编辑：汤梓红
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