单晶片背面和斜面清洁（下篇）
高级应用
在正面具有对损坏敏感的关键结构的应用中，例如对于32nm栅极多晶硅(AR>5:1)图案化的晶片，该 系统可以被设置为无损坏地清洁。这是通过修改背面化学喷嘴和配方配置，并保持正面干燥来实现的， 如图9所示。虽然仅由10瓦的兆频超声波能量增强的气泡爆炸可能导致物理损坏，如果正面是湿的，即 使通过硅晶片和空气传递100瓦的兆频超声波能量，这也不会发生。在整个过程中，供应到背面的化学 物质/DIW不会从晶片边缘
如图4所示，晶圆边缘和斜面清洁是需要解决的严重问题，因此Akrion Systems开发了一种将金手指正面兆频超声波系统(FS Meg)与其BS Meg工艺相结 合的工艺。图10显示了这个合并的过程是如何工作的。金手指乙二醇被拉出到边 缘区域，并与BS乙二醇同时使用，以加强边缘和斜面区域的清洁效率。清洗前后: 的颗粒图和SEM检查证实，边缘和斜面处的PRE大大改善。
结论
在这项研究中，Akrion Systems设计的单晶片背面兆频超声波系统被证明能够同时去除晶片两面 的污染物。根据进入的晶片状况，该系统还能够仅清洁晶片背面，从而保护关键图案免受 任何物理/化学损害。此外，该系统可以被修改以增强晶片边缘/斜面区域的清 洗效率。预评估和SEM检查证实了这一点。实验还揭示了DHF预处理有助于去 除强烈粘附的ESC标记。
审核编辑 黄昊宇
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