贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET 为各类电源应用提供更好的支持
2022年6月9日– 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF4C和UF4SC1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。
贸泽电子分销的UF4C/SCSiC FET为设计人员提供了多种导通电阻和封装选项。1200 V SiC FET的导通电阻 (RDS(on)) 值为23mΩ至70mΩ，可采用三引线TO-247-3L封装或四引线TO-247-4L封装。TO-247-4L封装采用开尔文栅极，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
UF4C/SC系列所有器件都可以用标准的0V至12V或15V栅极驱动电压安全驱动，从而在不改变栅极驱动电压的情况下，成为硅IGBT、FET或超级结器件的合适替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通过真正的5V阈值电压保持良好的阈值噪声容限、出色的反向恢复特性和内置ESD栅极保护箝位。
如需更多信息，敬请访问https://www.mouser.cn/new/unitedsic/unitedsic-uf4csc-1200v-gen4-sic-fets/。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
电子元器件
+关注
关注
132文章
3094浏览量
103235 -
电源应用
+关注
关注
1文章
15浏览量
9725 -
贸泽电子
+关注
关注
16文章
1059浏览量
95764
发布评论请先 登录
相关推荐
纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种
瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z
近日，瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z，该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分别获得了AQG3
高通公布第四代骁龙座舱平台
在2024年的CES展会上，高通公司公布了其最新的第四代骁龙座舱平台。这一新平台旨在满足汽车厂商对于打造独特、差异化和品牌化体验的需求。
凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS
2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
GaN Systems 第四代氮化镓平台概述
全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。
发表于 10-08 17:22
•289次阅读
第四代北斗芯片发布
全新的第四代北斗芯片，较上一代芯片有了全面的提升。芯片采用双核架构设计，计算能力提升100%；存储效能提升一个数量级；观测通道数提升一倍以上，可以跟踪更多卫星信号；工作功耗下降50%，为更多应用场景
发表于 09-21 09:52
SALELF4系列FPGA数据手册
EF4 器件是安路科技的第四代 FPGA 产品，基于 EF3 器件改进设计以满足汽车（Grade-2）应用，同时也能广泛应用于通信、工业控制和服务器市场。最多支持 279 个用户 I/O，满足客户板
发表于 08-09 08:03
EF4系列器件概述
SALELF®4（以下简称 EF4）系列器件是安路科技的第四代 FPGA 产品，基于 EF3 器件改进以满足汽车（Grade-2）应用需求，符合车规器件的严苛设计要求，同时也能广泛应用于通信、工业
发表于 08-09 06:01
苹果第四代iPhone SE发布被推迟
现预计苹果自研的5G调制解调器要等到2025年才能进入大规模生产。因此，第四代iPhone SE的发布时间也会相应延后。第四代iPhone SE的计划也随之被推迟了。
GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管可实现更快的开关瞬变
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200
发表于 06-16 11:42
具有温度不变势垒高度和理想因数的GeneSiC 1200V SiC肖特基二极管
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
发表于 06-16 06:15
虹科新品 | HK&amp;ATTO推出FastFrame™ 第四代智能以太网适配器系列
虹科新品HK&ATTO推出FastFrame第四代智能以太网适配器系列ATTOTechnology,Inc.是35多年来为数据密集型计算环境提供网络、存储连接和基础设施解决方案的全球领导者
工商网监
评论