0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

IC效率高达98.3%!业界首款集成1700V SiC MOSFET!PI新款氮化镓IC和碳化硅器件有何过人之处?

章鹰观察 来源:电子发烧友原创 作者:章鹰 2022-05-16 09:09 次阅读

电子发烧友原创 文/章鹰)近日,美国Power Integrations公布了截至2022年3月31日的季度财务业绩,第一季度的营业收入为1.821亿美元,同比增长5%。第一季度的净利润为4620万美元。

Power Integrations 总裁兼首席执行官 Balu Balakrishnan表示:“第一季度销售额再创新高,盈利增长强劲。受益于消费电子充电市场需求,包括电器、笔记本电脑智能手机充电需求增加,以及工业领域应用市场的增长,我们看到高度集成的GaN产品公司的BridgeSwitch电机驱动IC被广泛采用,我们拥有强大的新产品渠道,利用FluxLink隔离技术和专有的Powigan晶体管等领先技术。”

对于目前市场看好USB PD3.1技术推动的大功率市场,还有高速增长的电动汽车市场,PI带来了哪些领先的电源驱动解决方案?PI的IC产品在能耗、散热、设计的系统性上体现了哪些优势?PI给出了精彩的答复。

大功率充电方案:采用750V PowiGaN 开关,HiperPFS-5 IC效率高达98.3%

PI对于电源市场的变化尤为敏锐。自USB PD 3.1快充标准发布后,充电功率已经由原来的100W上升到240W,并且支持最大48V、5A的电压输出。随着功率的增加,维系系统的高效率面临挑战。这会带来两重挑战:一、大输入功率会有功率因数校正的要求,当输入功率大于75W,PI会在电源的前级上加一个功率校正(PFC)电路,使得交流输入端的的电流的相位完全跟踪电压;二、额外增加的前级PFC开关电路会降低整个系统效率,必须同时提高PFC前级和后级的功率变化器的效率。

作为全球USB充电器和适配器电源IC的领先供应商,PI推出了内部集成750V PowiGaN氮化镓开关的HiperPFS-5系列功率因数校正(PFC)IC。新IC的效率高达98.3%,在无需散热片的情况下可提供高达240W的输出功率,并可实现优于0.98的功率因数。这是市场上第一款内置氮化镓开关的功率因素校正产品,耐压750V,可以保证在90V到308V的时候,功率校正因素产品都可以可靠工作。

图片来自PI

同时,Power Integrations还推出节能型HiperLCS-2芯片组,这一新的IC产品系列可极大简化LLC谐振功率变换器的设计和生产。新推出的双芯片解决方案由一个隔离器件和一个独立半桥功率器件组成,其中的隔离器件集成了高带宽LLC控制器同步整流驱动器和FluxLink™隔离控制链路,其中的独立半桥功率器件采用Power Integrations独特的600V FREDFET,可提供无损耗流检测,并且还集成上管和下管驱动器。相较于分立式设计,这种高度集成的节能架构无需散热片,并且元件数量可减少高达40%。

HiperPFS-5加上HiperLCS-2芯片组的电源方案,与传统方案相比减少了40%的元件数量。这套方案适用于电视机、带USB PD接口的显示器、电动车、电动工具、打印机、投影仪、电源适配器、PC主机电源、游戏机,以及240W功耗的家电应用。

PI认为,USB3.1极大地扩展了兼容适配器的功率范围,从略高于100W扩展到240W。这不仅有利于扩大USB-PD的应用范围,还能够明显缩短更大功率设备的充电时间,并且提高用户便利性。PI已经推出了InnoSwitch4和HiperLCS-2开关IC,它们能够实现更高的功率水平,并分别满足设计工程师对反激式和LLC变换器的偏好。

现在,PI还推出了基于氮化镓的功率因数校正IC - HiperPFS-5,该器件具有极高能效,适合USB-PD 3.1应用,并且无需散热片,可实现非常小巧的外形尺寸。

电动汽车高速增长,PI推出两款碳化硅汽车级开关电源IC

对于汽车而言,车辆续航里程通常被认为是电动汽车潜在购买者最关心的问题。快速充电系统的出现有助于解决这个问题,但这些系统需要更高的母线电压,而800V电池正在成为电动汽车的标准配置。

800V系统通常从硅基IGBT转向碳化硅 MOSFET,SiC器件可以提供更高的开关速度,因为开关损耗更低。例如保时捷的全电动跑车Tayan的续航历程为420公里,采用了800V的电池架构,在240KW的快速充电站仅需要22.5分钟即可将从5%充电到80%。起亚宣布推出的EV6 800V架构汽车,该车在18分钟内从10%充电至80%。

在汽车应用领域,Power Integrations正在迅速扩大其创新解决方案的范围,包括基于碳化硅的器件。最近,公司发布两款新器件,符合AEC-Q100标准,额定电压1700V的IC,为InnoSwitch3-AQ产品系列再添新成员。这两款新器件解决800V系统面临的新挑战。

这些新器件是业界首款采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC。新IC可提供高达70W的输出功率,主要用于600V和800V纯电池和燃料电池乘用车,以及电动巴士、卡车和各种工业电源应用。

使用InnoSwitch3-AQ器件的电路可以使用很小的电路板面积,安全地从主母线上汲取少许能量供控制电路使用,而不会造成能量的浪费。最值得一提的是,新器件还可以大幅简化主牵引逆变器的应急电源的设计。应急电源需要随时准备着在30V和1000V之间的任何电压下工作。PI基于SiC的InnoSwitch3-AQ器件可以轻松应对如此广泛的工作电压范围。

对于电源IC的供应问题,PI表示:“在过去的两年里,公司的出货量急剧增加,但我们一直能够满足客户的实际需求,只是订单交货期有所延长,现在为16周。我们预计,随着2022年新增产能的上线,订单交货时间将会缩短。”

对于2022财年业绩的展望,PI表示2021财年公司的业绩增长超过40%,今年第一季度增长仍然强劲。PI仍然将主要市场聚焦于消费电子产品,比如适配器(特别是USB PD设备和电视机适配器)、电动汽车和非电动汽车,以及家电产品,PI的BridgeSwitch电机驱动IC十分热销,正在帮助提高产品性能和实现全球能源效率目标。


本文由电子发烧友原创,转载请注明以上来源。微信号zy1052625525。需入群交流,请添加微信elecfans999,投稿爆料采访需求,请发邮箱huangjingjing@elecfans.com。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • PI
    PI
    +关注

    关注

    11

    文章

    200

    浏览量

    111653
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    24

    文章

    2429

    浏览量

    47513
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    一文了解SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势

    共读好书 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。
    的头像 发表于 02-21 18:24 541次阅读
    一文了解<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的应用及性能优势

    CGHV96050F1卫星通信氮化高电子迁移率晶体管CREE

    CGHV96050F1是碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CG
    发表于 01-19 09:27

    碳化硅氮化镓哪个好

    碳化硅氮化镓的区别  碳化硅SiC)和氮化镓(GaN)是两种常见的宽禁带半导体材料,在电子、光电和功率电子等领域中具有广泛的应用前景。虽
    的头像 发表于 12-08 11:28 1048次阅读

    瞻芯电子推出1700V SiC MOSFET助力高效辅助电源

    11月27日,瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω,
    的头像 发表于 11-30 09:39 912次阅读
    瞻芯电子推出<b class='flag-5'>1700V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>助力高效辅助电源

    GeneSiC的起源和碳化硅的未来

    公司之一, GeneSiC 为政府机构开发了尖端的碳化硅技术ⁱ, 重点关注性能和稳健性, 并发布了几代碳化硅二极管和 MOSFET 技术,额定值高达 6.5 kV 在各种封装中以及裸片
    的头像 发表于 10-25 16:32 790次阅读
    GeneSiC的起源和<b class='flag-5'>碳化硅</b>的未来

    【转帖】华润微碳化硅/SiC SBD的优势及其在Boost PFC中的应用

    前言 碳化硅SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括:新能源汽车
    发表于 10-07 10:12

    碳化硅SiC功率器件,全球市场总体规模,前三十大厂商排名及市场份额

    本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件,功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块(SiC
    的头像 发表于 09-08 11:30 2094次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>,全球市场总体规模,前三十大厂商排名及市场份额

    功率器件在工业应用中的解决方案

    功率器件在工业应用中的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET碳化硅Mosfet
    发表于 09-05 06:13

    东芝开发出业界首款2200V双碳化硅SiCMOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化

    点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出业界首款 [1] 2200V双碳化硅SiCMOSFET模块—“ MG250YD2YM
    的头像 发表于 08-31 17:40 274次阅读
    东芝开发出<b class='flag-5'>业界首</b>款2200V双<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b>模块,助力工业设备的高<b class='flag-5'>效率</b>和小型化

    东芝开发出业界首款2200V双碳化硅SiCMOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化

    中国上海, 2023 年 8 月 29 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅SiCMOSFET模块---“MG250YD
    发表于 08-29 15:26 932次阅读
    东芝开发出<b class='flag-5'>业界首</b>款2200V双<b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b>模块,助力工业设备的高<b class='flag-5'>效率</b>和小型化

    芯塔电子发布自主研发1700V/5Ω SiC MOSFET产品

    芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能,使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长
    发表于 08-16 11:49 308次阅读
    芯塔电子发布自主研发<b class='flag-5'>1700V</b>/5Ω <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>产品

    碳化硅 SiC 可持续发展的未来 #碳化硅 #SiC #MCU #电子爱好者

    工业控制碳化硅
    Asd666
    发布于 :2023年08月10日 22:08:03

    SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数

    Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域,如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再
    发表于 06-16 06:04

    谁发明了氮化功率芯片?

    ,是氮化功率芯片发展的关键人物。 首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅SiC)和
    发表于 06-15 15:28

    碳化硅MOSFET什么意思

    碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表
    的头像 发表于 06-02 15:33 1258次阅读