芯片表面SiO2薄膜

在微电子技术以及在微结构、微光学和微化学传感器中，需要在由不同材料构成的大面积的薄膜层中构造功能完善的结构。

功能：1、完成所确定的功能 2、作为辅助层

方式：氧化（Oxidation）

化学气相淀积（ChemicalVapor Deposition）

外延（Epitaxy）

氧化

定义：硅与氧化剂反应生成二氧化硅。

原理：氧化剂被表面吸附，向膜中扩散，在二氧化硅和硅的接触界面反应生成新的二氧化硅，接触界面向深层逐步推进。

种类：热氧化、热分解淀积、外延淀积。

二氧化硅膜的五种用途：

· 杂质扩散掩蔽膜

· 器件表面保护或钝化膜

· 电路隔离介质或绝缘介质

· 电容介质材料

· MOS管的绝缘栅材料

1．二氧化硅膜的化学稳定性极高，不溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不起作用。

利用这一性质作为掩蔽膜，光刻出IC 制造中的各种窗口。

2． 二氧化硅膜的掩蔽性质

B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。Dsi》 Dsio2

SiO2 膜要有足够的厚度。一定的杂质扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度。

二氧化硅膜的绝缘性质

热击穿、电击穿、混合击穿：

a．最小击穿电场（非本征）--针孔、裂缝、杂质。

b．最大击穿电场（本征）--厚度、导热、界面态电荷等;氧化层越薄、氧化温度越高，击穿电场越低。

介电常数3～～4（3．9）

由颜色来确定氧化层厚度