三星如何为摩尔定律再度添加一个“维度”

在近期举办的2021年Samsung Foundry论坛上，三星透露了2/3nm制程工艺的新进展，并公开发布了全新的17nm工艺。三星市场战略副总裁MoonSoo Kang也面向产业合作伙伴，公布了三星在异构集成上的计划，如何为摩尔定律再度添加一个“维度”。

几十年间，半导体产业一直在不懈地推动摩尔定律，以更先进的制程做到更多的晶体管数目，这就是我们常说的“延续摩尔”方案，也是当前计算与电路领域持续创新最大的推动力。

尽管摩尔定律的延续，芯片面积仍在扩大，比如一直在追求算力的GPU，已经快要逼近光罩尺寸的限度了。再加上晶体管数目的增加，使得芯片设计成本和生产成本无休止地增加。在不少人看来，单靠“延续摩尔”不再是一个技术与成本上可持续的方案。

与此同时，更多的功能与特性集成在单个芯片上，却又没有单个制程可以满足所有不同功能的需求，比如模拟、射频、高压等，即便可以满足也无法达到优秀的性能与成本平衡。“延续摩尔”的方案在这类挑战面前束手无策，因此才出现了异构集成这种“扩展摩尔”的方案。通过两种方案的互补，共同做到“超越摩尔”。

Chiplet：降低成本提高良率的救星

随着单个芯片加入更多特性，即便摩尔定律延续下去，其芯片面积仍在增加，为所有不同功能的设计区块使用同一个制程节点成了抵消的选择，好在如今有了Chiplet这一救星的出现。将一大块裸片分成较小的chiplet，并为每个chiplet使用最优的制程，可以显著提高整个芯片的良率，同时减少生产成本。例如某些特定的接口IP并不会因为采用先进制程而获得面积或性能上的优化，对这些IP使用成熟制程和专用定制制程，可以做到更低的成本以及更优的性能。

另一个可行方案就是模组化的设计与制造，也就是重复使用相同的组件chiplet。不少IP模组都可以作为chiplet重复使用，只有芯片的其他部分需要重新设计和生产，此举显著减少了设计、开发与生产的成本，芯片厂商可以借此更快实现产品迭代。

X-Cube：垂直3D集成

异构集成不只是为了成本和良率考虑，也能进一步提升芯片性能。传统的2D设计中，信号路径有几毫米长。而在3D集成下，芯片的堆叠可以将信号路径减少至几微米，大大改进了芯片延迟。除此之外，3D集成中更出色的内联间距可以实现更高的带宽，进一步提高芯片性能。

早在2014年，三星就首次实现了将宽IO内存与移动应用处理器的3D堆叠，也就是三星的Widcon技术。随后，3D芯片堆叠技术继续发展，诞生了一系列HBM内存产品。HBM就是由DRAM与逻辑堆叠，并由微凸块和TSV相连而成的。也正是因为3D堆叠技术，三星得以开发出了3层的CMOS图像传感器，由图像传感器、逻辑与DRAM三种不同的裸片堆叠在一起而成。

2020年，三星推出了X-Cube技术，这项技术使得两个逻辑单元裸片可以垂直堆叠在一起，形成一个单独的3D芯片，由微凸块与TSV连接。X-Cube分为两种形式，两个裸片由微凸块连接或是直接铜键合。

第一代X-Cube技术（u-Bump）主要依靠微凸块连接，三星已经发布了针对7nm逻辑制程的TSV PDK，采用F2B结构，凸块间距为40um。面向4/5nm的TSV PDK也已经发布，改用F2F的结构，凸块间距降低至25um。尚在开发中的第二代X-Cube技术（Bump-less）则采用了直接铜键合技术，间距降低至4um。

值得一提的是，英特尔的Foveros 3D堆叠技术路线与三星X-Cube大致相同。第一代Foveros的凸块间距在36 um至50um之间，而下一代Foveros Omni技术同样可以做到25um的凸块间距。尚在开发的Foveros Direct也采用了直接铜键合的方式，宣称凸块间距降低至10um以下。

过去的X-Cube架构中，底部裸片的面积要大于顶部裸片，然而为了更好了满足客户对芯片分区和散热等不同要求，三星也将在后续提供顶部裸片大于底部裸片的结构。目前三星已经完成了3D堆叠SRAM的验证，在7nm的制程下，可以做到48.6GB/s的带宽，以及7.2ns的读取延迟与2.6ns的写入延迟。

除此之外，三星还提供了一项差异化技术，ISC（集成堆叠电容）。这一电容应用了已经在三星DRAM产品中获得验证的硅电容结构、材料和工艺，具有1100nF/mm2的电容密度，可以有效提高电源完整性。三星的ISC还提供了多种不同的配置，比如分立型、硅中介层型和多晶圆堆叠型，以满足客户不同的结构需求，ISC预计将在2022年进入量产阶段。

I-Cube：横向2.5D组合

另一方面，为了从横向组合芯片，三星开发了所谓的2.5D技术I-Cube，将逻辑单元与多个HBM集成在同一硅中介层上。目前三星已经成功实现了一个逻辑裸片+两个HBM的I-Cube 2量产，成品之一就是百度的昆仑AI芯片。百度的昆仑AI芯片不仅使用了三星的14nm制程，也运用了三星的I-CUBE 2技术。

I-Cube使用了预筛选的技术，在封装的中间阶段进行运算测试，从而提高良率。该技术还采用了无封胶的结构，做到更好的散热性能，据三星强调，与传统的2.5D方案相比，I-Cube的散热效率高上4.5%。此外，与其他代工厂商相比，三星的I-Cube技术还有一些优势，比如与三星内存合作，率先用上最新的内存方案

目前三星已经在计划集成4 HBM3模组的I-Cube4量产工作，而6 HBM的I-Cube6也已经做好量产准备，前者预计2022年进入大批量产阶段。三星更是准备了两个逻辑裸片+8个HBM的I-Cube8方案，目前尚处于开发阶段，预计2022年末将正式上线。

除了2D、2.5D与3D的IC技术之外，三星还在开发全新的3.5D封装技术，这种系统级封装内还将加入堆叠的定制DRAM或SRAM裸片，实现更高的性能与密度。

小结

在开发2.5D/3D集成的多芯片或多Chiplet系统级芯片时，设计者往往还会遇到在传统单芯片设计上罕见的技术障碍，比如多出来的接口IP或潜在的功耗增加。这时候，三星、台积电和刚进入IDM 2.0的英特尔等代工厂商还会提供异构设计的方法和工具，帮助设计者克服这些挑战。在异构集成的大势之下，代工厂也将提供更多的服务模式，增加封装、测试以及一站式的设计服务。责任编辑：haq