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三星新一代LPDDR5 uMCP芯片移动设备上市

三星半导体和显示官方 来源:三星半导体和显示官方 作者:三星半导体和显示 2021-09-30 14:31 次阅读
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日前,三星宣布用于移动设备的最新多芯片封装LPDDR5 uMCP开始大规模量产,并完成了LPDDR5 uMCP和国内几家智能手机制造商的兼容性测试。随着5G设备成为主流,以及搭载了三星新一代LPDDR5 uMCP芯片的移动设备上市,更多中高端智能手机用户将感受到类似旗舰机性能的流畅体验。

众所周知,5G时代下大量高清图片、4K视频,游戏,以及增强现实AR、混合现实MR等应用的激增,用户对智能手机大容量,高性能的需求将越来越强烈。如何在提升智能手机性能的同时,降低功耗,差异化外观和内部配置,一直是困扰各大手机厂商的难题。

而三星利用uMCP多芯片封装技术,通过将DRAM和NAND存储集成封装在一颗芯片里,仅占11.5mm×13mm的大小,为移动设备其他原件留出更多设计空间。不仅如此,最新量产的LPDDR5 uMCP无论是在性能还是功耗方面,都有着前代产品不可比拟的优势。

新一代uMCP采用三星产品中速率最快的LPDDR5内存和业界最新的UFS 3.1规格的闪存集成配置,其中LPDDR5 DRAM比上一代LPDDR4X在性能表现方面约提升50%以上,数据传输速率可达6400Mbps,较高的带宽优势,能够长久应对未来5G时代的VR/AR等应用程序的运行。经测试,LPDDR5 DRAM在最大频率操作时,FPS(Frame Per Second 每秒帧数)可提高14%,这一数据的提升让更多智能手机用户可以体验到流畅的高帧游戏画面。特别是在功耗方面,得益于动态电压频率调整(DVFS)和深度睡眠模式等技术,相比上一代产品可减少20%。

值得一提的是,三星应用的UFS 3.1 是JEDEC(微电子行业标准开发机构)2020年公布的最新闪存标准,在捕获图像和视频等流量大的数据方面更进一步。在本次UFS 3.1 NAND闪存更新中,NAND的写入速度是前代产品的3倍,带宽从12Gbps提升至24Gbps,使性能整整翻了一倍。三星还嵌入了写入助推器技术(TW,Turbo Write), 主机性能助推器技术(HPB,Host Performance booster),以及主机碎片化整理技术(HID,Host Initiated Defragment),通过这些软件技术的加持,能有效提升随机读写性能,加快手机处理速度,减少卡顿和越用越慢的情况。

当下,智能手机正面临着从4G到5G过渡的阶段,而具备处理5G时代大量流媒体的能力是未来智能手机的必然发展趋势。三星LPDDR5 uMCP 正是为中高端智能手机迈进5G时代而提供的解决方案,可满足未来不断增长的高性能、低功耗、大容量的市场需求。

原文标题:三星半导体|MCP:乘5G之风!让中高端智能手机用户享受旗舰体验!

文章出处:【微信公众号:三星半导体和显示官方】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
责任编辑:pj

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文章出处:【微信号:sdschina_2021,微信公众号:三星半导体和显示官方】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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