应用材料新布线技术为3nm工艺做出突破

应用材料公司说，它已经在芯片布线方面取得了突破，这将使半导体芯片生产小型化到芯片，使电路之间的宽度可以只有30亿分之一米。目前的芯片工厂生产7纳米和5纳米芯片，因此3纳米芯片代表了下一代技术。

这些3纳米生产线将成为造价超过220亿美元的晶圆厂的一部分，但带来的收入也将远超这一数字。该公司表示，芯片布线的突破将使逻辑芯片的扩展至3纳米及以以下。

芯片制造公司可以在其大型工厂中使用布线工具，从5纳米工厂向3纳米工厂的过渡有助于缓解困扰整个电子行业的半导体芯片短缺问题。但芯片要投入生产还需要一段时间。除了互连扩展挑战外，还有其他问题与晶体管（ FinFET 晶体管的扩展使用和过渡到GAA晶体管）以及图案工艺（EUV和多重图案）有关。

据应用材料介绍，其开发了一种名为Endura® Copper Barrier Seed IMS™的全新材料工程解决方案。这个整合材料解决方案在高真空条件下将ALD、PVD、CVD、铜回流、表面处理、界面工程和计量这七种不同的工艺技术集成到一个系统中。

应用材料半导体产品集团高级副总裁兼总经理Prabu Raja表示："智能手机芯片拥有数百亿的铜互连，而线路已经消耗了芯片三分之一的电量。通过集成多种工艺技术，应用材料可以重新设计材料和结构，使消费者享受更有能力的设备和更长的电池寿命。Raja 说，这种集成解决方案旨在加快客户的性能、功率和区域成本路线图。

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