做为国内最大也是最先进的半导体制造公司,中芯国际在先进工艺上的进展引人关注,其中7nm及以下节点非常重要,这还牵涉到EUV光刻机。
日前有股民在互动平台上询问,称有报道指出中芯国际不用EUV光刻就攻克了类7nm工艺,要求中芯国际澄清。
对此,中芯国际表示,公司不针对传言进行评论。
从中芯国际官网的介绍来看,该公司提到的最先进工艺还是14nm,接下来的是N+1、N+2工艺,但没有指明具体的工艺节点。
中芯国际联合CEO赵海军曾表示,经过三年的积累,FinFET工艺已经取得了不错的成绩,N+1已经进入了风险量产,但是在外部因素的影响下,去年四季度起FinFET的产能利用率不足,爬坡需要时间,营收奉献尚未达到预期水准,折旧又对公司整体的盈利造成了负担。
责任编辑:lq
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
339文章
31606浏览量
268205 -
中芯国际
+关注
关注
27文章
1458浏览量
68197 -
光刻机
+关注
关注
31文章
1203浏览量
49114
原文标题:不用EUV光刻机就搞定类7nm工艺?中芯国际回应
文章出处:【微信号:CSF211ic,微信公众号:中国半导体论坛】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
中国打造自己的EUV光刻胶标准!
其他工艺器件的参与才能保障芯片的高良率。 以光刻胶为例,这是决定芯片 图案能否被精准 刻下来的“感光神经膜”。并且随着芯片步入 7nm及以下先进制程芯片 时代,不仅需要EUV
俄罗斯亮剑:公布EUV光刻机路线图,挑战ASML霸主地位?
了全球 EUV 光刻设备市场,成为各国晶圆厂迈向 7nm、5nm 乃至更先进制程绕不开的 “守门人”。然而,近日俄罗斯科学院微结构物理研究所公布的一份国产
台阶仪在集成电路制造中的应用:高端光刻胶材料纯化研究进展
随着集成电路制程节点不断向纳米尺度迈进,光刻技术已从紫外全谱(g线、i线)发展到深紫外(KrF、ArF)乃至极紫外(EUV)光源。光刻胶作为光刻工艺的核心材料,其纯度直接影响
国产芯片真的 “稳” 了?这家企业的 14nm 制程,已经悄悄渗透到这些行业…
最近扒了扒国产芯片的进展,发现中芯国际(官网链接:https://www.smics.com)的 14nm FinFET 制程已经不是 “实
发表于 11-25 21:03
白光干涉仪在浸没式光刻后的3D轮廓测量
浸没式光刻(Immersion Lithography)通过在投影透镜与晶圆之间填充高折射率液体(如超纯水,n≈1.44),突破传统干法光刻的分辨率极限,广泛应用于 45nm 至 7nm
【「AI芯片:科技探索与AGI愿景」阅读体验】+半导体芯片产业的前沿技术
%。至少将GAA纳米片提升几个工艺节点。
2、晶背供电技术
3、EUV光刻机与其他竞争技术
光刻技术是制造3nm、5
发表于 09-15 14:50
EUV光刻胶材料取得重要进展
电子发烧友网综合报道 随着集成电路工艺的不断突破, 当制程节点持续向7nm及以下迈进,传统的光刻技术已难以满足高精度、高密度的制造需求,此时,波长13.5nm的极紫外(
3D 共聚焦显微镜 | 芯片制造光刻工艺的表征应用
光刻工艺是芯片制造的关键步骤,其精度直接决定集成电路的性能与良率。随着制程迈向3nm及以下,光刻胶图案三维结构和层间对准精度的控制要求达纳米级,传统检测手段难满足需求。光子湾3D共聚焦显微镜凭借非
中芯国际 7 纳米工艺突破:代工龙头的技术跃迁与拓能半导体的封装革命
流转。这家全球第三大晶圆代工厂,正以每月 3 万片的产能推进 7 纳米工艺客户验证,标志着中国大陆在先进制程领域的实质性突破。 技术突围的底层逻辑 中芯
中科院微电子所突破 EUV 光刻技术瓶颈
极紫外光刻(EUVL)技术作为实现先进工艺制程的关键路径,在半导体制造领域占据着举足轻重的地位。当前,LPP-EUV 光源是极紫外光刻机所采用的主流光源,其工作原理是利用波长为 10.
国产光刻胶突围,日企垄断终松动
厚胶量产到ArF浸没式胶验证,从树脂国产化到EUV原料突破,一场静默却浩荡的技术突围战已进入深水区。 例如在248nm波长的KrF光刻胶武汉太紫微的T150A胶以120nm分辨率和
光刻工艺中的显影技术
的基础,直接决定了这些技术的发展水平。 二、显影在光刻工艺中的位置与作用 位置:显影是光刻工艺中的一个重要步骤,在曝光之后进行。 作用:其作
中芯国际不用EUV光刻就攻克了类7nm工艺
评论