IBM推出一项微芯片工艺技术中的新改进
IBM日前推出一项微芯片工艺技术中的新改进。该公司表示，这项改进将让为手机和其它通信设备制造更高速的硅设备一事成为可能。
在上周四发表的一份声明中，蓝色巨人表示他们将开始向客户提供一种经过改进的、在硅芯片上布锗线的技术。
IBM表示，他们在十年前就发明了硅锗工艺技术，然后一直对之进行改进。通过把锗加入到硅中——就是我们所说的半导体掺杂过程——芯片做电平翻转的速度就能更快。这种速度增长对射频通信设备尤其有意义，因为他们需要对信号做高速的调制。
IBM表示，改进后的技术能让芯片在200GHz这个频率上运作，也就是说每秒动作2000亿次。这种速度有助于通信技术，甚至包括汽车的反撞雷达技术的进步。
硅锗是芯片标准工艺技术CMOS的一种替代品。然而目前，硅锗在整个芯片市场上所占的份额还很小，其每年的销售在16亿美元左右。
责任编辑：lq6
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
336文章
29985浏览量
258305 -
微芯片
+关注
关注
0文章
61浏览量
14094 -
硅锗芯片
+关注
关注
0文章
2浏览量
5963
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
芯片键合工艺技术介绍
在半导体封装工艺中，芯片键合（Die Bonding）是指将晶圆芯片固定到封装基板上的关键步骤。键合工艺可分为传统方法和先进方法：传统方法包
SOI工艺技术介绍
在半导体行业持续追求更高性能、更低功耗的今天，一种名为“SOI（Silicon-On-Insulator）”的工艺技术逐渐成为行业焦点。无论是智能手机、自动驾驶汽车，还是卫星通信系统，SOI技术都在幕后扮演着关键角色。
中微公司在TechInsights 2025半导体供应商奖项调查中荣获两项第一
热烈祝贺中微公司再获殊荣，在TechInsights 2025半导体供应商奖项调查中荣获两项第一，技术
BiCMOS工艺技术解析
一、技术定义与核心特性 BiCMOS（Bipolar-CMOS）是一种将双极型晶体管（BJT）与CMOS晶体管集成在同一芯片上的混
IBM推出新一代大型主机IBM z17
今天，IBM（纽约证券交易所：IBM）宣布推出新一代大型主机 IBM z17。作为 IBM Z 主机系列的最新旗舰产品，
陶瓷基板五大工艺技术深度剖析：DPC、AMB、DBC、HTCC与LTCC的卓越表现
在电子封装技术的快速发展中，陶瓷基板因其出色的电绝缘性、高热导率和良好的机械性能，成为了高端电子设备中不可或缺的关键材料。为了满足不同应用场景的需求，陶瓷基板工艺技术不断演进，形成了D
芯片制造中的浅沟道隔离工艺技术
浅沟道隔离（STI）是芯片制造中的关键工艺技术，用于在半导体器件中形成电学隔离区域，防止相邻晶体管之间的电流干扰。本文简单介绍浅沟道隔离技术
IBM在watsonx.ai平台推出DeepSeek R1蒸馏模型
IBM近日宣布了一项重要更新，为其企业级AI开发平台watsonx.ai引入了DeepSeek R1的Llama 3.1 8B和Llama 3.3 70b蒸馏版本。这一举措旨在通过先进的AI技
ALD和ALE核心工艺技术对比
ALD 和 ALE 是微纳制造领域的核心工艺技术，它们分别从沉积和刻蚀两个维度解决了传统工艺在精度、均匀性、选择性等方面的挑战。两者既互补又相辅相成，未来在半导体、光子学、能源等领域的联用将显著加速
SLA立体光固化成型：一项实现3D打印领域高精度数字模型实体化的先锋技术
发明。自创造以来，便以优异的快速成型特征和高精度表现，成为了一项实现复杂数字模型实体化的关键技术。它不仅突破了制造业的传统模具模式，还能在加速将设计概念转变成实际产品的同时，保持产品表面细节的精确再现
发表于 01-09 18:57
工商网监
评论