3月12日,据韩联社报道,韩国半导体厂商SK海力士公司收购英特尔NAND闪存部门收购案现后获得了美国监管机构联邦贸易委员会(FTC)和美国外国在美投资委员会(CFIUS)的批准。距离成功收购又近了一步,接下来还需要获得中国、英国等监管机构的批准。
本次交易是SK海力士和英特尔再韩国时间10月20日共同宣布签署收购协议的。根据协议约定,SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务,以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔傲腾业务。
在两家公司获得政府的相关许可后,SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务(包括NAND SSD相关知识产权和员工)以及大连工厂。此后,预计在2025年3月份最终交割时,SK海力士将支付20亿美元余款从英特尔收购其余相关资产,包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。根据协议,英特尔将继续在大连闪存制造工厂制造NAND晶圆,并保留制造和设计NAND闪存晶圆相关的知识产权(IP),直至最终交割日。
技术互补,合并后SK海力士将排名上升至第二位
从产能方面来看,目前SK海力士的NAND Flash投片产能全都在韩国;英特尔的NAND Flash产能则基本都在中国大连。英特尔是所有NAND Flash厂商当中最着力推广采用QLC架构的公司。
从技术方面来看,英特尔仍坚持以Floating Gate为3D NAND Flash的主要生产结构,不同于SK海力士等其他厂商所采用的Charge Trap结构,在蚀刻的技术难度上有相当差异。
如果SK海力士能够取得英特尔的3D NAND Flash产能,那它在企业级SSD领域的竞争力将大幅提升。接下来,只需要在这两个不同的产品架构钟取得平衡,就能带来最大效益。
预计SK海力士在取得英特尔产能以后,其NAND Flash市占将达20%以上,超越原先排名第二的铠侠(Kioxia),排名仅次于龙头三星。需要特别留意的是,此次收购案仅限于3D NAND Flash相关技术与产能,并不包含近期受到市场非常关注的新兴存储器技术3D-XPoint。
英特尔大连工厂的介绍
英特尔大连工厂是英特尔3D NAND SSD的主要生产基地,它是英特尔自1992年在爱尔兰建立F10晶圆厂后,新建的第一座晶圆厂,也是英特尔在中国乃至亚洲的第一个晶圆制造工厂(除美国本土外,英特尔只在爱尔兰和以色列有晶圆厂),总投资25 亿美元,总建筑面积为 16.3万平米,其中洁净厂房面积达1.5万平方米。
据悉,大连工厂2010年开始生产,2015年之前主要从事65nm产品的生产,到2015年则开始转型生产3D NAND存储产品,在一年之后就实现了量产,并于2017年建立了新的68A工厂。
资料显示,2015年英特尔宣布将投资55亿美元(这也是英特尔迄今在中国最大的单笔投资),将大连工厂升级为英特尔 “非易失性存储”制造工厂,本次投资项目将使大连厂成为在英特尔的非易失性存储器产品集成电路全球制造网络中使用300毫米晶圆中目前最先进技术的生产中心之一。
目前,大连工厂内部全部采用了英特尔自主设计的MES系统,自动化生产的程度非常高。整个车间内仅有几名工作人员,而且大部分时间,工作人员只需要在自己的座位上远程监控机器人生产即可,整个车间已经基本上可以实现自动化操作。
另据新华社报道,SK海力士在今年1月29日,与大连市人民政府、大连金普新区管委会通过视频方式,正式签署合作谅解备忘录,共同推进SK海力士对英特尔大连芯片厂的收购以及后续在大连的新投资项目。
根据合作谅解备忘录,SK海力士收购英特尔大连芯片厂后将继续进行投资与建设,大连市人民政府将为大连芯片厂的顺利交接与过渡提供必要支持。此外,SK海力士将与大连市人民政府在更广泛的领域开展合作,包括建立起大连信息技术产业创新生态系统和产业集群等。
结语
SK海力士收购英特尔的NAND Flash存储业务,不仅会给韩国商界版图带来变化,也会改变全球存储产业格局。通过收购后,SK海力士将会在DRAM和NAND Flash领域双双上升为全球第二大供应商。
本次交易是SK海力士和英特尔再韩国时间10月20日共同宣布签署收购协议的。根据协议约定,SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务,以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔傲腾业务。
在两家公司获得政府的相关许可后,SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务(包括NAND SSD相关知识产权和员工)以及大连工厂。此后,预计在2025年3月份最终交割时,SK海力士将支付20亿美元余款从英特尔收购其余相关资产,包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。根据协议,英特尔将继续在大连闪存制造工厂制造NAND晶圆,并保留制造和设计NAND闪存晶圆相关的知识产权(IP),直至最终交割日。
技术互补,合并后SK海力士将排名上升至第二位
从产能方面来看,目前SK海力士的NAND Flash投片产能全都在韩国;英特尔的NAND Flash产能则基本都在中国大连。英特尔是所有NAND Flash厂商当中最着力推广采用QLC架构的公司。
从技术方面来看,英特尔仍坚持以Floating Gate为3D NAND Flash的主要生产结构,不同于SK海力士等其他厂商所采用的Charge Trap结构,在蚀刻的技术难度上有相当差异。
如果SK海力士能够取得英特尔的3D NAND Flash产能,那它在企业级SSD领域的竞争力将大幅提升。接下来,只需要在这两个不同的产品架构钟取得平衡,就能带来最大效益。
预计SK海力士在取得英特尔产能以后,其NAND Flash市占将达20%以上,超越原先排名第二的铠侠(Kioxia),排名仅次于龙头三星。需要特别留意的是,此次收购案仅限于3D NAND Flash相关技术与产能,并不包含近期受到市场非常关注的新兴存储器技术3D-XPoint。
英特尔大连工厂的介绍
英特尔大连工厂是英特尔3D NAND SSD的主要生产基地,它是英特尔自1992年在爱尔兰建立F10晶圆厂后,新建的第一座晶圆厂,也是英特尔在中国乃至亚洲的第一个晶圆制造工厂(除美国本土外,英特尔只在爱尔兰和以色列有晶圆厂),总投资25 亿美元,总建筑面积为 16.3万平米,其中洁净厂房面积达1.5万平方米。
据悉,大连工厂2010年开始生产,2015年之前主要从事65nm产品的生产,到2015年则开始转型生产3D NAND存储产品,在一年之后就实现了量产,并于2017年建立了新的68A工厂。
资料显示,2015年英特尔宣布将投资55亿美元(这也是英特尔迄今在中国最大的单笔投资),将大连工厂升级为英特尔 “非易失性存储”制造工厂,本次投资项目将使大连厂成为在英特尔的非易失性存储器产品集成电路全球制造网络中使用300毫米晶圆中目前最先进技术的生产中心之一。
目前,大连工厂内部全部采用了英特尔自主设计的MES系统,自动化生产的程度非常高。整个车间内仅有几名工作人员,而且大部分时间,工作人员只需要在自己的座位上远程监控机器人生产即可,整个车间已经基本上可以实现自动化操作。
另据新华社报道,SK海力士在今年1月29日,与大连市人民政府、大连金普新区管委会通过视频方式,正式签署合作谅解备忘录,共同推进SK海力士对英特尔大连芯片厂的收购以及后续在大连的新投资项目。
根据合作谅解备忘录,SK海力士收购英特尔大连芯片厂后将继续进行投资与建设,大连市人民政府将为大连芯片厂的顺利交接与过渡提供必要支持。此外,SK海力士将与大连市人民政府在更广泛的领域开展合作,包括建立起大连信息技术产业创新生态系统和产业集群等。
结语
SK海力士收购英特尔的NAND Flash存储业务,不仅会给韩国商界版图带来变化,也会改变全球存储产业格局。通过收购后,SK海力士将会在DRAM和NAND Flash领域双双上升为全球第二大供应商。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
SK海力士
+关注
关注
0文章
1019浏览量
42029
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
SK海力士正式发布控温散热存储技术“iHBM”
近日,SK海力士正式发布控温散热存储技术"iHBM",核心思路很直接——不在封装外面想办法散热,而是把冷却元件直接做进HBM封装内部。计划应用于HBM5等下一代产品,瞄准AI数据中心和高性能计算场景。
SK海力士荣获2026年IEEE企业创新奖
SK海力士(或‘公司’)26日宣布,公司于当地时间24日在美国纽约举行的“2026年IEEE*荣誉颁奖典礼”上,荣获企业创新奖(Corporate Innovation Award)。
SK海力士投资19万亿韩元在韩国建设先进封装厂
近日,SK海力士宣布投资19万亿韩元(约合128.5亿美元)在韩国清州建设新一代先进封装工厂,专注于高带宽存储器(HBM)芯片的制造。该工厂预计2027年底完工,采用2.5D/3D封装
SK海力士携AI存储器产品亮相NVIDIA GTC 2026
韩国首尔,2026年3月17日——SK海力士(简称‘公司’,https://www.skhynix.com)17日宣布,将于3月16日至19日(当地时间)参加在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“英伟达GTC 2026(GPU技术大会
SK海力士与闪迪公司启动HBF全球标准化制定工作
SK海力士(或‘公司’)26日宣布,于当地时间25日在美国加利福尼亚州米尔皮塔斯的闪迪公司总部,与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”,正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF(High Bandwidth
KV缓存黑科技!SK海力士“H³存储架构”,HBM和HBF技术加持!
据韩国经济日报报道,SK海力士近日在IEEE(电气与电子工程师协会)全球半导体大会上发表论文,提出了一种全新的存储架构。据悉,该架构名为“H³(hybrid semiconductor
人均64万!SK海力士发出史上最高年终奖
电子发烧友网综合报道 近日,SK海力士宣布将向全体3.3万名员工发放人均1.36亿韩元(约合64万元人民币)的绩效奖金,这一金额较往年大幅提升,创下公司历史以来最高记录。 引 那么此次巨额年终奖
SK海力士在CES 2026展示面向AI的下一代存储器解决方案
SK海力士(或‘公司’)6日宣布,公司将于当地时间1月6日至9日,在美国拉斯维加斯举办的“CES 2026”威尼斯人会展中心设立专属客户展馆,并集中展示面向AI的下一代存储器解决方案。
SK海力士HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺
电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,存储行业巨头SK海力士正全力攻克一项全新的性能瓶颈技术高带宽存储HBS。 SK海力士研发的这项HBS技术采用了创新的芯片堆叠方案。根据规划,该技术
SK海力士发布未来存储路线图
电子发烧友网综合报道,近日,韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上,SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全线AI存储创造者”(Full
SK海力士ZUFS 4.1闪存,手机端AI运行时间缩短47%!
电子发烧友网综合报道,SK海力士宣布,已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.1。 SK海力士通过与客户的密切合作,于今年6月成功完成了该产
SK海力士321层4D NAND的诞生
SK海力士致力于成为“全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)”,不仅在DRAM领域持续创新,在NAND闪存(NAND Flash,以下简称NAND
SK海力士在微细工艺技术领域的领先实力
SK海力士的成功神话背后,离不开众多核心技术的支撑,其中最令人瞩目的便是“微细工艺”。通过对肉眼难以辨识的微细电路进行更为精细化的处理,SK海力士凭借压倒性的技术实力,引领着全球半导体
SK海力士HBM技术的发展历史
SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK
SK海力士宋清基TL荣庸发明日铜塔产业勋章
SK海力士宣布,5月19日于首尔COEX麻谷会展中心举行的“第60届发明日纪念仪式”上,来自HBM开发部门的宋清基TL荣庸铜塔产业勋章。
SK海力士90亿美元收购案进展顺利,已获美国批准
评论