中芯国际在7nm制程工艺上取得突破

IP和定制芯片企业芯动科技完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。这也意味着中芯国际在7nm制程工艺上取得突破。

观察者网援引中科院半导体所专业人士介绍，成功“流片”指在实验室得到性能达到指标的器件，而要实现真正量产，还需要在器件可靠性、退化机制等方面得到大量的数据支持和反复检验。

手机中国获悉，中芯国际FinFET N+1先进工艺在功率和稳定性方面与7nm制程工艺非常相似，且不需要光刻机。该工艺和中芯国际现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。不过其性能提升依然不够，因此主要面向低功耗应用领域。

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