如何让内部FLASH“支持”字节操作

一般32位单片机的内部FALSH是不支持字节操作的，有的可以按字节读取，但是不能按字节写入。

而且，一般单片机内部FALSH擦除的最小单位都是页，如果向某页中的某个位置写入数据，恰好这个位置的前面存了其他数据，那么就必须把这页擦除，存的其他数据也会丢失。

实际上就是说内部的FALSH不好做改写的操作，如果有很多数据需要存放，最好是分页存储。这也是FALSH与E2PROM最大的区别，后者支持按字节操作且无需擦除，即使某一个地址写坏了，也不影响其他地址。

下面介绍一种方法让内部FLASH“支持”字节操作，且同一页的其他数据不受影响。

方法原理很简单，下面简单介绍下原理：

1.根据要写入地址，计算出该地址位于哪一页；

2.读出整个页，存入缓存BUF；

3.将要写入的数据按位置更新到BUF中；

4.擦除该页；

5.写入整个BUF。

可以看出这种方法弊端很明显：

1.耗时长 每次写都要读整个BUF，然后还要先把数据存到BUF里，然后再写入整个BUF；

2.FALSH擦写次数增加，降低使用寿命；

下面给出测试代码：

#include

#include

#include //C语言标准库

#include “flash.h”

#define USER_FLASH_START_ADDR 0x01070000 //FLASH最后两个扇区 供用户使用

u32tou8 u32data;//定义一个联合体

//==================================================================================

// 获取某个地址所在的页首地址

// addr:FLASH地址

// 返回：该地址所在的页 共128页（0~127）

//==================================================================================

unsigned int FLASH_GetFlashPage（unsigned int addr）

{

if （IS_FLASH_ADDRESS（addr））

{

return （addr&（~0xFFF））;//清0低12位就是该页的起始地址

}

}

//==================================================================================

// 从FLASH中读取 一个字（32位）

// addr：读取地址

// 返回： 读到的字数据

//备注： 地址为4字节对齐

//==================================================================================

unsigned int FLSAH_ReadWord（unsigned int addr）

{

return （*（unsigned int *）addr）;

}

//==================================================================================

//从FLASH指定地址 读取数据

//备注： 读取数据类型为32位 读取地址为4字节对齐

//==================================================================================

void FLASH_Read（unsigned int ReadAddr，unsigned char *pBuffer，unsigned int NumToRead）

{

unsigned int i;

u32tobyte cache;

for（i=0; iRO = 0;//去掉所有扇区写保护

//==================================================================================

// 判断写入地址是否非法 起始地址或者结束地址不在FALSH范围内则退出

//==================================================================================

if（！（IS_FLASH_ADDRESS（startaddr）&& IS_FLASH_ADDRESS（endaddr））） return FLASH_ERROR_PG;

while（startaddr remain）//需要写入的数据量大于缓冲buf剩余字节数

{

for（i=index;i《4096;i++）//将需要写入FALSH的数据写入缓冲buff

{

buffer［i］=*（pBuffer++）;

}

NumToWrite-=remain;//需要写入的数据长度-本次已经写入的数据长度

startaddr+=remain;//地址向后偏移本次写入的字节数

}

else

{

for（i=index;i

其中还有个联合体的定义：typedef union

{

unsigned int data;

unsigned char buf［4］;

}

u32tou8;FLASH_ErasePage、FLASH_ProgramWord、IS_FLASH_ADDRESS 这三个都是单片机FLASH的库函数各家单片机不同，但功能基本相同，这里不再提供源码。最后提供以下两个FLASH接口即可：FLASH_Write（unsigned int WriteAddr，unsigned char *pBuffer，unsigned int NumToWrite）;

FLASH_Read（unsigned int ReadAddr，unsigned char *pBuffer，unsigned int NumToRead）演示：1.为方便查看结果，测试从0x1070FFC的位置开始写入数据，FLASH地址分布如下图所示：这里展示了FLASH连续两页的地址，首先将这两页全部擦除。

2.接着从1070FFC的位置开始写入56个1，这样就保证了数据跨越了1页。unsigned char write［］= {“1111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111”};

FLASH_Write（0x01070FFC，write，sizeof（write））;

注意：最后的00是因为字符串的结尾字符是“/0”3.紧接着，在0x1070FFE位置写入新的字符串，也要保证写入长度跨越1页。unsigned char write2［］={“23456789”};

FLASH_Write（0x01070FFE，write2，sizeof（write2））;

可以看出，0x1070FFE~0x1071006的位置被写入了新的字节，但这两页的其他位置数据保持不变。总结：1、实际使用时，如果不是受限于成本或者FLASH大小，不建议这样读写内部FLASH，以为stm32内部FLASH也就10W次寿命，这样频繁擦写会大大降低FLASH寿命。2、如果保存的数据不多，建议每个数据都单独存1页，这样不用考虑擦除时会把其他数据也一并擦除。版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。本文链接：https://blog.csdn.net/qq_24835087/article/details/103541322审核编辑：何安