宜特晶圆：成功开发晶圆减薄达1.5mil（38um）技术

随5G、物联网、电动车蓬勃发展，对于低功耗要求越来越高，功率半导体成为这些产业势不可挡的必备组件。宜特（TWSE： 3289）晶圆后端工艺厂的晶圆减薄能力也随之精进。宜特今（1/6）宣布，晶圆后端工艺厂（竹科二厂），通过客户肯定，成功开发晶圆减薄达1.5mil（38um）技术，技术门坎大突破。同时，为更专注服务国际客户，即日起成立宜锦股份有限公司（Prosperity Power Technology Inc）。

使用控片测得2mil、1.5 mil、1.5 mil优化条件后的损坏层厚度及TEM分析宜特指出，功率半导体进行“减薄”，一直都是改善工艺，使得功率组件实现“低功耗、低输入阻抗”最直接有效的方式。晶圆减薄除了有效减少后续封装材料体积外，还可因降低RDS（on）（导通阻抗）进而减少热能累积效应，以增加芯片的使用寿命。

但如何在减薄工艺中降低晶圆厚度，又同时兼顾晶圆强度，避免破片率居高不下之风险自晶圆减薄最大的风险。

为解决此风险，iST宜特领先业界，已完成2mil（50um）、1.5mil（38um），甚至到0.4mil（10um）减薄技术开发，iST宜特更藉由特殊的优化工艺，在降低晶圆厚度的同时，也兼顾晶圆强度，可将研磨损伤层（Damage layer）降到最低。

责任编辑：xj