利用硅光微环调制器产生了200 Gb/s PAM4光信号，并成功实现2km单模光纤传输

日前，国家信息光电子创新中心和中信科集团光纤通信技术与网络国家重点实验室在超高速硅光芯片技术方向取得重要进展，首次利用硅光微环调制器产生了200 Gb/s PAM4光信号（此前最高水平为Intel的128Gb/s），并成功实现2km单模光纤传输。该成果为下一代800G光模块和共封装（co-packaged）光子引擎提供了超低功耗超高集成度的芯片技术方案。

国家信息光电子创新中心（NOEIC）的这项成果在ECOC 2020会议上作为PDP（post-deadline paper，在截稿日期之后被接收的论文）论文发表，这也是继去年之后，NOEIC连续第二年发表ECOC PDP报告。ECOC大会PDP论文旨在发布光通信领域的最新技术进展和纪录性成果，代表着业内当前最高技术水平。本届ECOC会议的PDP文章仅有7篇，而NOEIC的论文是本届会议上唯一1篇光芯片类的PDP文章，也是唯一一个完全依托中国单位和研究人员完成的工作。

随着5G、物联网和人工智能等的快速发展，下一代数据中心光互连亟需将单通道速率从当前的100Gb/s升级到200Gb/s。而本工作中的超高速硅基微环调制器由于具有高带宽、小尺寸、低驱动电压和低功耗等众多优点，为下一代低成本、低功耗的高速光互连提供了非常有竞争力的解决方案。

此次NOEIC和中国信科的研发人员基于带宽大于67GHz（受限于测试设备，外推带宽为79GHz）的硅基微环调制器，结合自主开发的奈奎斯特整形和自适应均衡算法，成功演示了单通道120Gb/s OOK和200Gb/s PAM4高速光信号的产生，实现了目前国际上速率最高的硅光调制器。

NOEIC和中信科在ECOC2020(欧洲光纤通讯展览会)发表的PDP论文

作为工信部批复的国家级创新研发机构，国家信息光电子创新中心一直以来十分重视硅光技术的研发和标准化工作。先后取得国内首款100G硅基相干光收发芯片等突破性成果，多款光芯片产品实现了国产化替代。近日，创新中心联合中信科集团、中国信息通信研究院、中兴通讯等国内优势单位，围绕800Gb/s光器件及硅光技术共提交多项光器件行业标准和研究课题，均获得立项。面向硅光技术带来的重大产业变革，国家信息光电子创新中心将充分发挥行业引领示范作用，联合国内科研和产业重点单位，全力推动高端光电子芯片的技术攻关、产业转化和标准化工作。

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