SiC电子器件提升效率降低装置损耗，预计2024年将超19亿美元

今日启迪股份技术总监钮应喜博士发表了题为“碳化硅晶体生长、加工技术和装备”的主题演讲。

钮应喜博士指出，GaN/SiC器件的应用可以提供高频、高校、高功率密度的设计，其中，SiC器件对于提升效率降低装置损耗，实现节能具有重要意义，因此应用场景广泛。

2019年，SiC电子器件市场规模达5.6亿美元，预计2024年将超19亿美元。中低压需求较为强劲的是新能源汽车，“十四五”将是新能源汽车的爆发期，同时将拉动SiC产业快速发展。

钮应喜博士表示，SiC产业链包括晶体、衬底、外延、器件、模块和系统。SiC材料上国内主要是4英寸，6英寸在扩展中，8英寸处于研发阶段。

其中，SiC衬底市场长期被美国、欧洲、日本垄断，面对快速增长的市场形势，国内厂商纷纷布局，近几年，国内开展相关项目30余个。

最后，钮应喜博士指出在SiC单晶、衬底领域，应优化技术，降低成本，加快6英寸产能扩充，突破8英寸技术攻关；在SiC外延领域，应加快国产设备、辅助材料以及石墨件研发进度。

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