ASIC厂智原26日宣布,旗下采用联电28纳米嵌入式高压(eHV)制程的记忆体编译器,因提供功耗、性能和面积优势,已获多家行动装置OLED驱动晶片大厂采用,多项专案已陆续设计定案(Tape out)。
智原指出,28eHV 基础元件IP 组合,因具有动态节能、支援弹性客制功能,获客户青睐,尤其标准元件库内建多位元正反器组(MBFF),在设计时脉路径上,可大幅减少动态功耗,适用行动装置。
此外,为搭配不同长宽比的OLED 驱动晶片,28eHV SRAM 记忆体编译器能因应客户需求,弹性提供不同架构组合,加速产生所需文件、模型与电路设计。
智原营运长林世钦表示,由于高端智能型手机OLED 面板,需要大量记忆体缓冲区,实现色彩准确性,因此记忆体编译器在OLED 驱动晶片中至关重要,客户可借助智原、联电的技术合作,使用与28 纳米逻辑制程相同的设计规则,加速开发高解析OLED 面板相关晶片。
智原先前指出,由于客户量产计划从今年递延至明年,加上制程往前推进至40、28 纳米,将优化产品组合,看好毛利率重返50%。
本文由电子发烧友综合报道,内容参考自智原、钜享,转载请注明以上来源。
智原指出,28eHV 基础元件IP 组合,因具有动态节能、支援弹性客制功能,获客户青睐,尤其标准元件库内建多位元正反器组(MBFF),在设计时脉路径上,可大幅减少动态功耗,适用行动装置。
此外,为搭配不同长宽比的OLED 驱动晶片,28eHV SRAM 记忆体编译器能因应客户需求,弹性提供不同架构组合,加速产生所需文件、模型与电路设计。
智原营运长林世钦表示,由于高端智能型手机OLED 面板,需要大量记忆体缓冲区,实现色彩准确性,因此记忆体编译器在OLED 驱动晶片中至关重要,客户可借助智原、联电的技术合作,使用与28 纳米逻辑制程相同的设计规则,加速开发高解析OLED 面板相关晶片。
智原先前指出,由于客户量产计划从今年递延至明年,加上制程往前推进至40、28 纳米,将优化产品组合,看好毛利率重返50%。
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