0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

天科合达终止科创板IPO进程,年产12万片6英寸碳化硅晶片也泡汤了

NSFb_gh_eb0fee5 来源:爱集微 作者:爱集微 2020-10-21 11:09 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

10月16日,上交所发布“关于终止对北京天科合达半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市审核的决定”,决定终止对其首次公开发行股票并在科创板上市的审核。

据公

据公告显示,2020 年 10 月 15 日,天科合达和保荐人国开证券股份有限公司分别向上交所提交了《北京天科合达半导体股份有限公司关于撤 回首次公开发行股票并在科创板上市申请文件的申请》和《国开证券股份有限公司关于撤回北京天科合达半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市申请文件的请示》,申请撤回申请文件。对于此次终止IPO的原因,天科合达并没有透露。

据集微网了解,天科合达IPO进程于今年7月14日被上交所受理。作为最早布局碳化硅晶片的厂商之一,天科合达目前已掌握了覆盖碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全流程关键技术和工艺,具备规模化供应大尺寸、高品质碳化硅晶片的生产能力,形成了“以碳化硅晶片为核心,覆盖其他碳化硅产品和碳化硅单晶生长炉”的业务主线。

2017年至今,碳化硅晶片和其他碳化硅产品是天科合达收入的主要来源,碳化硅单晶生长炉收入快速增长。

从主营业务构成来看,2017-2019年,天科合达的碳化硅晶片和碳化硅单晶生长炉业务比重在增加,其他碳化硅产品业务比重在降低。近三年天科合达碳化硅晶片以4英寸为主,逐步向6英寸过渡,在2020年1月天科合达启动8英寸晶片研发工作。然而,晶片尺寸越大,对应晶体的生长与加工技术难度越大。目前国际碳化硅晶片厂商主要提供 4 英寸至 6 英寸碳化硅晶片,CREE、II-VI 等国际龙头企业已开始投资建设 8 英寸碳化硅晶片生产线。

为解决国产碳化硅晶片供给不足,天科合达本次募集资金投资项目第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目,项目投产后年产12万片6英寸碳化硅晶片,此次IPO终止意味着这个投产计划也将随之“搁浅”。

责任编辑:YYX

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 晶片
    +关注

    关注

    1

    文章

    413

    浏览量

    33004
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3548

    浏览量

    52664

原文标题:天科合达终止科创板IPO进程,12万片6吋碳化硅晶片计划将搁浅?

文章出处:【微信号:gh_eb0fee55925b,微信公众号:半导体投资联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    岳先进碳化硅衬底市占率跃居全球第一,市场占有率攀升至27.6%

    市场占有率攀升至27.6%,超越国际巨头Wolfspeed,首次登顶全球第一。其中,6英寸产品市占率27.5%,8英寸产品市占率高达51.3%,1
    的头像 发表于 04-23 11:19 438次阅读

    突破!本土企业成功研制14英寸SiC单晶

    需求。   早在2024年11月,岳先进率先出手,发布行业首款12英寸碳化硅衬底;一个月后,烁
    的头像 发表于 03-23 00:43 2785次阅读

    技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径

    耐火材料与纯碳化硅材料面临极限挑战时,氮化硅陶瓷的技术指标为这一领域提供更具针对性的升级方案。 一、产品细节:氮化硅陶瓷的技术优势 针对焚烧炉内胆的实际工况,氮
    发表于 03-20 11:23

    浮思特 | 8英寸碳化硅晶圆为什么重要?至信微量产背后的技术逻辑

    ,逐渐成为高性能电力电子系统的核心材料。在这一技术演进过程中,碳化硅晶圆尺寸在不断升级,从早期的4英寸6英寸逐步迈向8
    的头像 发表于 03-17 10:03 442次阅读
    浮思特 | 8<b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆为什么重要?至信微量产背后的技术逻辑

    12英寸碳化硅外延突破!外延设备同步交付

    12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付瀚天天成。 相较于目前主流的6英寸碳化硅外延
    的头像 发表于 12-28 09:55 2305次阅读

    碳化硅器件在不同充换电场景中实现规模化应用

    从南国云南到内蒙古矿区,从东海宁波到香港特别行政区,由泰润自主研发的碳化硅功率器件,正在全国各地充换电设施中稳定运行,见证着国产芯片在技术上有重大突破。
    的头像 发表于 11-06 16:21 909次阅读

    加速!12英寸碳化硅衬底中试线来了!

    电子发烧友网综合报道 12英寸碳化硅再迎来跨越式进展!9月26日,晶盛机电宣布,首条12英寸碳化硅
    的头像 发表于 09-29 08:59 5511次阅读

    AR光波导+先进封装双驱动,12英寸碳化硅静待爆发

    电子发烧友网综合报道 12英寸碳化硅在近期产业内迎来两大新需求:AI眼镜市场爆发,推动碳化硅AR光波导镜片量产节奏;为了进一步提高散热效率,英伟
    的头像 发表于 09-26 09:13 6897次阅读

    【新启航】碳化硅外延 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究

    一、引言 碳化硅外延作为功率半导体器件的核心材料,其总厚度偏差(TTV)是衡量产品质量的关键指标,直接影响器件的性能与可靠性 。外延的 TTV 厚度受多种因素影响,其中生长工艺参数起着决定性
    的头像 发表于 09-18 14:44 1074次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>片</b> TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究

    重大突破!12 英寸碳化硅晶圆剥离成功,打破国外垄断!

    了国内相关技术应用的空白,更为第三代半导体关键制造装备的国产化进程注入了强大动力,同时为全球碳化硅产业突破成本瓶颈、提升生产效率开辟创新路径。 此前,该激光剥离技术已在
    的头像 发表于 09-10 09:12 1906次阅读

    数据中心电源客户已实现量产!三安光电碳化硅最新进展

    16000/月,配套产能即从衬底、外延、芯片制程,到封测的全流程产能。8英寸碳化硅衬底产能为1000/月,外延产能2000/月,目前8
    发表于 09-09 07:31 2217次阅读

    12英寸碳化硅衬底,会颠覆AR眼镜行业?

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)今年以来,各家厂商都开始展示出12英寸SiC产品,包括晶锭和衬底,加速推进12英寸SiC的产业化。最近,天成半导体宣布成功研制出
    的头像 发表于 07-30 09:32 1.2w次阅读

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE锐)生产的1200V、450A全碳化硅
    发表于 06-25 09:13

    全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC碳化硅功率半导体崛起

    的破产不仅是企业的失败,更是美国半导体产业战略失误的缩影。其核心问题体现在三个维度: 技术迭代停滞与成本失控 长期依赖6英寸晶圆技术,8英寸量产计划因良率不足陷入僵局,而中国
    的头像 发表于 05-21 09:49 1541次阅读
    全球产业重构:从Wolfspeed破产到中国SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半导体崛起

    12英寸SiC,再添新玩家

    晶体宣布成功研制差距12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期研制成功12
    的头像 发表于 05-21 00:51 8029次阅读