一文详解光刻机技术

最近光刻机十分火，我们经常听到别人说7纳米光刻机、5纳米光刻机，但其实严格意义上来说并不存在7纳米光刻机，5纳米光刻机，我为什么会这样说呢？

首先我们要搞清楚什么是光刻机，光刻技术就是利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩，对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上的图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用。

简单来说，光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区造出来，类似于投影仪，不过光刻投的不是照片，而是电路图和其他电子元，光刻质量直接决定了芯片是否可用，在这里最核心的就是光源了。一切光刻机的核心零件都是围绕光源来发展的，所以根据光源的改进，光刻机一共可以分为五代，分别是最早的336纳米光刻机、第二代是365纳米波长的光刻机、第三代是248纳米的、第四代是193纳米的、第五代则是13.5纳米波长的EUV光刻机。

什么是双工作台呢？一个工作台进行曝光晶圆片，同时在另外一个工作台进行预对准工作。两个工作台相互独立，同时运行，生产效率可以提高大约35%，精度提高10%以上。

目前，中国已经能够量产第四代扫描投影式光刻机，如果使用套刻精度在1.9纳米左右的工作台，在多重曝光下能够实现11纳米制程工艺的芯片生产；如果改用套刻精度更优的1.7纳米国产华卓精科工作台在多重曝光下，更是能够实现7纳米制程工艺的芯片生产，所以准确来说，7纳米光刻机、5纳米光刻机这样的说法是不准确的，正确来说应该是7纳米工艺、5纳米工艺，所以不要觉得90纳米到7纳米之间的路程非常漫长，光源的递进所带来的变革会是革命性的，中国芯片产业的主要问题，并不是因为光刻机，而是在于没有形成完整的产业链，这需要许多的中国芯片产业多方面的突破发展。

前进的路很难很漫长，唯有坚持，才能创造历史。
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