0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Nature Comm.:为反铁磁自旋电子器件的设计提供了新思路

ExMh_zhishexues 来源:知社学术圈 作者:知社学术圈 2020-10-11 10:15 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

自旋霍尔效应实现了电荷电流和自旋电流之间的有效转换,基于此的自旋轨道矩可以通过电流驱动磁翻转,是现代自旋电子学的关键领域。低功耗、定向性的磁翻转需要自旋电流的自旋极化方向与磁矩方向共线。然而,对称性限制自旋极化指向面内方向,不利于适用于高密度存储的垂直磁化磁存储单元翻转。这意味着更大的器件功耗,并且通常还需要外加磁场诱导的对称性破缺以实现定向性磁翻转。因此,如何调控自旋极化方向成为该领域亟需解决的科学问题,在磁随机存储器中有重要应用价值。

近日,清华大学微电子所南天翔助理教授,威斯康辛大学Chang-Beom Eom教授,联合内布拉斯加州立大学、康奈尔大学、牛津大学、美国能源部阿贡国家实验室、美国劳伦斯伯克利国家实验室、挪威科技大学、以及韩国浦项科技大学等研究团队,报道了利用非共线反铁磁性导致的对称性破缺,在具有三角形磁矩结构的反铁磁材料中成功实现了对自旋电流中自旋极化方向的调控,为反铁磁自旋电子器件的设计提供了新思路。该研究成果以 “Controlling spin current polarization through non-collinear antiferromagnetism”为题发表在Nature Communications上。

图1.Mn3GaN材料的晶体、自旋结构以及其非常规自旋霍尔效应的理论计算。

图2.Mn3GaN/Py外延异质结。 在常规的自旋霍尔效应中,对称性要求电荷电流、自旋电流和自旋极化方向互相垂直。降低自旋电流源材料的对称性,有可能使自旋极化方向发生偏移。结合对称性分析和理论计算,作者实验发现反铁磁Mn3GaN中具有较大的非常规自旋霍尔效应/自旋轨道矩,即体系存在与电荷电流方向平行(面内x方向)或与自旋电流方向平行(面外z方向)的自旋极化,有别于常规自旋霍尔效应产生的自旋极化(指向面内y方向)。其中,面外自旋极化可以在零外加磁场条件下更有效的驱动垂直磁化翻转。

图3. 非常规自旋轨道矩的实验观测。 此前该团队曾在Science Advances上发表研究论文“Epitaxial antiperovskite/perovskite heterostructures for materials design”(6,eaba4017,2020),报道了反钙钛矿结构的Mn3GaN外延薄膜在几种钙钛矿氧化物衬底上的独特界面结构,并预测这种阻挫量子自旋材料由于其独特的对称性和自旋结构会在自旋电子器件中有很大的应用潜力。

图4. 自旋轨道矩在反铁磁-顺磁相变过程中的变化。 Mn3GaN的反铁磁矩呈三角形排列,这种非共线自旋结构可以有效降低体系对称性,产生的自旋电流具有三种不同的自旋极化方向(图一)。在高质量的Mn3GaN/坡莫合金外延异质结中(图二),作者通过自旋转矩铁磁共振实验成功观测、区分且分别量化了具有不同自旋极化方向的自旋轨道矩效率(图三),并发现其与理论计算结果相吻合。在Mn3GaN材料反铁磁-顺磁相变过程中,结合中子衍射表征的自旋结构,作者发现随着非共线反铁磁性的消退,非常规自旋轨道矩消失(图四),进一步验证了反铁磁材料自旋结构和非常规自旋霍尔效应的强关联性。本文提出的通过对材料自旋结构设计控制自旋极化方向的策略为反铁磁自旋电子器件开辟了新的道路。 清华大学微电子所南天翔助理教授为论文第一作者,威斯康辛大学麦迪逊分校Chang-Beom Eom教授为论文通讯作者。

论文信息:

T. Nan, C. X. Quintela, J. Irwin, G. Gurung, D. F. Shao, J. Gibbons, N. Campbell, K. Song, S. -Y. Choi, L. Guo, R. D. Johnson, P. Manuel, R. V. Chopdekar, I. Hallsteinsen, T. Tybell, P. J. Ryan, J. -W. Kim, Y. Choi, P. G. Radaelli, D. C. Ralph, E. Y. Tsymbal, M. S. Rzchowski & C. B. Eom, Controlling spin current polarization through non-collinear antiferromagnetism. Nat Commun 11, 4671 (2020). https://doi.org/10.1038/s41467-020-17999-4 招聘信息:清华大学微电子所南天翔课题组长期从事自旋电子材料和器件的研究,目前拟招聘一名博士后研究员从事相关方向的科研工作,有意应聘者请将详细简历发至nantianxiang@mail.tsinghua.edu.cn (详见课题组网页:nanlabthu.com)

责任编辑:xj

原文标题:Nature Comm.:非共线反铁磁性调控自旋极化

文章出处:【微信公众号:知社学术圈】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电子器件
    +关注

    关注

    2

    文章

    658

    浏览量

    33476
  • 反铁磁
    +关注

    关注

    0

    文章

    3

    浏览量

    6776
  • 自旋电子学
    +关注

    关注

    1

    文章

    7

    浏览量

    7364

原文标题:Nature Comm.:非共线反铁磁性调控自旋极化

文章出处:【微信号:zhishexueshuquan,微信公众号:知社学术圈】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    磁性元器件选型实战:五大隐形陷阱与硬核避坑指南

    磁性元器件(电感、变压器、珠、共模扼流圈)是电源与信号链中的“沉默基石”。选型失误不会立即烧毁,而是以效率下降、纹波超标、EMI变差、发热老化等形式慢慢折磨系统。本文从功率电感、激变压器、共模
    发表于 05-12 13:42

    3.2” Front Light Panel 12936 - 01:电子工程师设计新思路

    3.2” Front Light Panel 12936 - 01:电子工程师设计新思路电子设备设计领域,显示技术的优化一直是关键。今天,我们来深入探讨3.2” Front Light
    的头像 发表于 05-09 13:15 132次阅读

    台阶仪在磁性薄膜的应用 | 纳米级厚度量化交换偏置场

    自旋电子器件制造领域,FeMn/CoFeB薄膜体系因其优异的交换偏置特性,已成为随机存取存储器(MRAM)和传感器研究中的核心结构之
    的头像 发表于 05-08 18:05 163次阅读
    台阶仪在磁性薄膜的应用 | 纳米级厚度量化交换偏置场

    磁性元器件选型实战指南:从电感、变压器到珠的核心选型要点与设计提

    ,可以让电源系统在满载条件下仍稳定、高效、低发热地可靠工作数年;选错一颗电感或珠,却足以让整个精密设计陷入反复“升级、发热、失效”的维修泥潭。将磁性元器件的选型设计提升至与功率半导体同等的高度,才能真正构建出高可靠、高效率的
    发表于 05-06 08:47

    探索 ISL6401 RSLIC PWM 控制器评估板: VoIP 电源设计带来新思路

    探索 ISL6401 RSLIC PWM 控制器评估板: VoIP 电源设计带来新思路 在当今数字化通信的浪潮中,VoIP 技术的应用日益广泛,对于相关电源供应的要求也越来越高。今天,我们就来
    的头像 发表于 04-12 15:05 422次阅读

    谷景解析硅铝环电感的应用优势

    近日,作为一种在电力电子领域发挥关键作用的无源元件,硅铝环电感的技术特性与市场应用再次引发行业关注。 随着新能源、5G通信及工业电源设备对器件性能要求的不断提高,
    的头像 发表于 04-07 16:36 343次阅读

    MAX9979:高性能双路1.1Gbps引脚电子器件的深度解析

    MAX9979:高性能双路1.1Gbps引脚电子器件的深度解析 在电子设计领域,自动测试设备(ATE)对于确保产品质量和性能至关重要。而MAX9979作为一款高度集成的高性能双路引脚电子器件
    的头像 发表于 04-04 09:15 444次阅读

    电材料及电子器件电学表征测试方法

    电材料是指在一定温度范围内具有自发极化, 且极化方向能被外加电场改变的材料。
    的头像 发表于 01-08 13:49 1167次阅读
    <b class='flag-5'>铁</b>电材料及<b class='flag-5'>铁</b>电<b class='flag-5'>电子器件</b>电学表征测试方法

    电能质量在线监测装置能识别谐振吗?

    谐振的核心电气特征(识别基础) 谐振是由铁芯电感(如 PT、变压器)的非线性特性与系统电容(如电缆、母线电容)匹配引发的谐振现象,具有以下典型电气特征,装置识别提供依据: 电压畸
    的头像 发表于 12-10 11:20 1011次阅读
    电能质量在线监测装置能识别<b class='flag-5'>铁</b><b class='flag-5'>磁</b>谐振吗?

    IV曲线测试仪:电子器件的“性能解码师”

    IV曲线测试仪:电子器件的“性能解码师” 柏峰【BF-CV1500】在半导体研发的实验室、光伏组件的生产车间,或是电子设备的故障诊断现场,IV曲线测试仪都是不可或缺的“核心工具”。它通过精准调控电压、采集电流,绘制出电子器件的电
    的头像 发表于 11-12 14:51 689次阅读
    IV曲线测试仪:<b class='flag-5'>电子器件</b>的“性能解码师”

    致真精密仪器自旋测试多功能克尔显微镜进行畴结构表征分析

    近日,以中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、意大利墨西拿大学等机构核心的国际化科研团队,在拓扑自旋电子器件与斯格明子应用研究中取得重要进展。该研究以“Topological
    的头像 发表于 11-05 14:38 989次阅读
    致真精密仪器<b class='flag-5'>自旋</b>测试多功能克尔显微镜进行<b class='flag-5'>磁</b>畴结构表征分析

    高场电子器件非侵入式、亚微米级精确电场检测

    近日,南京大学张荣院士、叶建东教授与美国弗吉尼亚理工张宇昊教授、贾晓婷教授联合研究团队,在第 70 届国际电子器件大会(IEDM 2024,国际电子器件领域权威会议)上以
    的头像 发表于 10-24 18:01 2694次阅读
    高场<b class='flag-5'>电子器件</b>非侵入式、亚微米级精确电场检测

    CDM试验对电子器件可靠性的影响

    电子器件制造和应用中,静电放电(ESD)是一个重要的可靠性问题。CDM(带电器件模型)试验是评估电子器件在静电放电环境下的敏感度和可靠性的重要手段。通过CDM试验,可以有效识别器件
    的头像 发表于 08-27 14:59 1299次阅读
    CDM试验对<b class='flag-5'>电子器件</b>可靠性的影响

    详解电力电子器件的芯片封装技术

    电力电子器件作为现代能源转换与功率控制的核心载体,正经历着从传统硅基器件向SiC等宽禁带半导体器件的迭代升级,功率二极管、IGBT、MOSFET等器件的集成化与高性能化发展,推动着封装
    的头像 发表于 08-25 11:28 3008次阅读
    详解电力<b class='flag-5'>电子器件</b>的芯片封装技术

    智能网版测试仪应用 | 可拉伸电子器件的丝网印刷

    的质量控制提供重要保障,助力提升可拉伸电子器件的一致性与可靠性。#Photonixbay.01研究背景可穿戴电子产品对器件柔韧性、拉伸性要
    的头像 发表于 08-05 17:47 877次阅读
    智能网版测试仪应用 | 可拉伸<b class='flag-5'>电子器件</b>的丝网印刷