第三代半导体材料及装备发展研讨会召开
9月4日，第二届第三代半导体材料及装备发展研讨会在北京召开，作为第三代半导体产业技术创新战略联盟会员单位，湖南天玥科技有限公司（长沙新一代半导体研究院）参加会议。
公司副总裁袁坚出席会议。
本次会议旨在加强第三代半导体材料与装备企业之间，以及装备企业与产业链上下游企业之间的互动交流与协同合作，推进“材料、工艺、装备一体化”发展，研发自主创新的国产化装备，实现第三代半导体产业的全面技术突破，缓解“卡脖子”问题。
本次会议上，半导体产业链上下游、设备及关键零部件研究、生产单位专家代表约百余人共同深入研讨，为行业发展群策群力。
原文标题：公司参加第二届第三代半导体材料及装备发展研讨会
文章出处：【微信公众号：长沙新一代半导体研究院】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
责任编辑：haq
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
339文章
31279浏览量
266763
原文标题：公司参加第二届第三代半导体材料及装备发展研讨会
文章出处：【微信号：CS_semi，微信公众号：长沙新一代半导体研究院】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
碳化硅 VS 氮化镓：第三代半导体的“双雄对决”
以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，正凭借更高的耐压、更低的损耗和更高的工作频率，逐步取代传统硅器件，成为电源系统的“新引擎”。然而，两者虽同属宽禁带半导体，却在材料
深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立，当时掌握了行业领先的第三代半导体
深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立，当时掌握了行业领先的第三代半导体碳化硅材料的肖特基二极管和碳化硅mos管的生产技术，开启了在
发表于 01-31 08:46
龙腾半导体推出全新第三代超结MOSFET技术平台
今天，龙腾半导体正式交出答卷 -- 基于自主工艺路线开发的全新第三代（G3） 超结 MOSFET技术平台。
高频交直流探头在第三代半导体测试中的应用
高频交直流探头基于法拉第电磁感应原理，具备高带宽、高精度和高分辨率，适用于第三代半导体器件的动态特性、栅极电流测量及开关损耗计算。
青禾晶元常温键合方案，破解第三代半导体异质集成热损伤难题
性能提出极限要求，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体异质集成技术，已成为延续摩尔定律、突破性能瓶颈的关键。然而，传统高温键合工艺导致的热应力损伤、材料失配与界面氧化问题，长期制约着该技术的进一步
Neway第三代GaN系列模块的生产成本
Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响，整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成：核心
发表于 12-25 09:12
第三代半导体碳化硅(Sic)加速上车原因的详解；
如有雷同或是不当之处，还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习！ 碳化硅是第三代半导体材料的代表；而半导体这个行业又过于学术，为方便阅读，以下这篇文章的部分章
CINNO出席第三代半导体产业合作大会
10月25日，第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席，盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
材料与应用：第三代半导体引领产业升级
以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，正加速替代传统硅基材料，在新能源汽车、工业控制等领域实现规模化应用。GaN 凭借更高的电子迁移率和禁带宽度，成为高频通信、
基本半导体B3M平台深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用
基本半导体B3M平台深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用 第一章：B3M技术平台架构前沿 本章旨在奠定对基本半导体（BASIC Semiconductor）B3M系列的技术认知
电镜技术在第三代半导体中的关键应用
第三代半导体材料，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表，因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现，正在成为半导体领域的重要发展
SiC碳化硅第三代半导体材料 | 耐高温绝缘材料应用方案
最成熟的第三代半导体材料，可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下，碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业，
第三代半导体的优势和应用领域
随着电子技术的快速发展，半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅（Si）半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求，因此，第三代
瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析（1）
随着AI技术井喷式快速发展，进一步推动算力需求，服务器电源效率需达97.5%-98%，通过降低能量损耗，来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇，瑞能半导体先发制人，推出的第三代超结MOSFET，能全面满足高效能需求。
评论