湖南三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行

长沙晚报消息，7月20日，湖南三安第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行。湖南三安第三代半导体项目总投资160亿元，总占地面积1000亩。湖南省委常委、长沙市委书记胡衡华宣布项目开工，长沙市委副书记、市长、湖南湘江新区党工委书记郑建新致辞，三安集团董事长林秀成、总经理林科闯出席。

据三安光电此前公告，6月15日，三安光电与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署《项目投资建设合同》。三安光电决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。 项目实施主体为拟成立的长沙控股子公司，将研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。 三安光电称，公司在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。