Transphorm的GaN技术拥有逾50亿小时的实际使用时间

首家获得JEDEC和AEC-Q101认证、具有最高可靠性的650 V氮化镓(GaN)半导体的设计和制造领导者Transphorm Inc.透露，该公司已交付了逾50万高压GaN FET（场效应晶体管）。这一里程碑的实现归因于客户对其高质量、高可靠性GaN平台的不断采用。

一年前，Transphorm发布了第一套完整的高压GaN功率半导体验证数据。不久前，该公司正式发布了其最新的实地可靠性数据。Transphorm的GaN技术拥有逾50亿小时的实际使用时间，目前其FIT率（故障率）小于2.0，PPM（不良率）每年低于19.8。

许多工业、基础设施、IT和PC游戏市场的客户已经公开宣布了使用Transphorm的GaN技术制造的在产设备。这说明了人们对于GaN解决方案的信心日益增强，预计它将成为一个有吸引力的市场。

事实上，现已属于Informa Tech旗下的行业分析公司IHS Markit Technology预测，GaN电源分立器件、模块和系统IC的总收入到2028年将达到12亿美元，其中约7.5亿美元（占整个市场的近三分之二））来自于高压GaN解决方案。

Transphorm联合创始人兼首席运营官Primit Parikh表示：“在业界普遍使用单芯片常关硅MOSFET的时候，我们就推出了最强大的两芯片常关器件。正如我们众所周知的发展势头以及消费类适配器领域中其他知名制造商（如Power Integrations）所证明的那样，两芯片常关GaN解决方案是当今最实用的高压GaN FET设计。事实上，正是这种设计才使Transphorm的GaN实现了高性能和高可靠性，获得了迄今为止超过50亿小时(<2 FIT)的现场可靠性数据。”

Transphorm产品的成功很大程度上还是归因于其产品的质量和可靠性(Q+R)。这种Q+R以该公司强大的常关型GaN平台、对外延工艺的强大控制以及制造能力为后盾——可以很好地满足从消费型适配器到汽车等各种跨行业市场的数量和质量要求。这些因素的综合使该公司能够生产具备空前可靠性、可设计性、可驱动性和可再现性的GaN FET。

Transphorm全球技术营销兼北美销售副总裁Philip Zuk表示：“在GaN的目标核心高功率市场中取得成功之后，我们还正与快速增长的半导体落后市场（如消费类适配器和机顶盒）的客户合作，因为到目前为止，我们已经交付的大多数产品都针对的是更高功率的应用。超过50万的650V FET相当于400多万低功率（低于100瓦）FET，这证明了我们的批量生产能力。”

关于Transphorm

富士通电子旗下代理品牌 Transphorm，是一家设计、生产氮化镓功率转换器和模块的企业。 2007年成立，Transphorm以美国加州大学圣塔芭芭拉分校的教授和研究人员为主体，致力于设计、生产GaN（氮化镓）功率转换器和模块，已获得了包括谷歌、富士通、凯鹏华盈、考菲尔德及拜尔斯、索罗斯基金管理公司、量子战略合作伙伴在内的众多投资机构的青睐。 2013年，Transphorm推出了当时业内唯一经过JEDEC认证的GaN器件，建立了业界第一个也是唯一通过JEDEC认证的600V GaN产品线。 2014年2月，Transphorm与富士通半导体的功率器件业务部进行了业务合并，Transphorm负责设计、富士通半导体负责制造并代理销售。 2015年，Transphorm和安森美建立合作关系，共同推出基于GAN的电源方案。公司创立十多年来，Transphorm一直专注于将高压GaN FET推向市场。致力于为电力电子市场（数据中心服务器、PV转换器、感应/伺服电机、工业及汽车等商业供电市场）设计、制造和销售GaN产品。 2017年3月，又推出了市场上仅有的一款经过AEC-Q101认证的650V车用GaN器件。