三星推GAAFET技术 将基于它打造3nm芯片
由华人科学家胡正明教授发明的FinFET（鳍式场效应晶体管）预计在5nm节点之后走向终结，三星的方案是GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）。
三星日前简要介绍了GAAFET中核心技术MCBFET（多桥沟道场效应晶体管），基于它打造的3nm芯片，相较于7nm FinFET，可以减少50%的能耗，增加30%的性能。
按照三星的说法，他们预计3nm晶体管的硅间距缩减45%之多。
据悉，MCBFET允许晶体管向上堆叠、并且自定义宽度，以适应低功耗或者高性能产品的不同要求。
另外，三星规划3nm量产的时间是2022年，这和上周的报道契合。推迟的原因主要是，EUV光刻机等关键设备在物流上的延迟。
至于台积电的3nm，据说第一代还是FinFET，总投资高达500亿美元，风险试产也推迟到了今年10月。
责任编辑：wv
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
447文章
47815浏览量
409184 -
三星电子
+关注
关注
34文章
15605浏览量
180128
发布评论请先 登录
相关推荐
三星3nm良率 0%！
来源：EETOP，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 近期韩媒DealSite+报道，表示三星的3nm GAA生产工艺存在问题，在尝试生产适用于Galaxy S25 /S25+手机的Exynos
全球首颗3nm电脑来了！苹果Mac电脑正式进入3nm时代
前两代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工艺，而M3系列芯片的发布，标志着苹果Mac电脑正式进入3nm时代。 3nm利用先进的EUV（极紫外
发表于 11-07 12:39
•333次阅读
三星为新客户代工3nm服务器芯片：GAA结构，SiP封装
半导体设计公司ad technology于10月10日宣布，与海外客户签订了利用gaa（全环绕栅极）结构的3nm基础2.5d服务器芯片设计合同，并委托三星进行设计。使用sip封装工艺整合hbm高带宽内存。
三星3nm GAA完整晶圆遭遇难产，良率仅50%
三星向中国客户提供了第一个3nm gaa，但新的报告显示，这些芯片的实际形态并不完整，缺乏逻辑芯片的sram。据悉，由于很难生产出完整的3纳米gaa晶片，因此
高通或成为台积电3nm制程的第三家客户
苹果已经发布了基于台积电3nm制程的A17 Pro处理器。最近，有消息称，高通的下一代5G旗舰芯片也将采用台积电3nm制程，并预计会在10月下旬公布，成为台积电3nm制程的第三个客户，
台积电3nm月产能明年将增至10万片
台积电推出了世界上第一个3nm智能手机芯片apple a17 pro，该芯片也用于新款iphone 15 pro。据悉，tsmc到2023年为止，将只批量生产苹果的3nm工艺。
联发科台积电3nm天玑旗舰芯片成功流片 或为“天玑9400”
已成功流片。 3NM制程天玑旗舰芯片量产时间预计在2024年，2024年下半年会正式上市。业内估计3NM的MediaTek旗舰芯片型号应该不是今年上市的天玑9300，天玑9300可能采
发表于 09-08 12:36
•1441次阅读
70%！台积电3nm按良率收费!
8月8日消息，据外媒报道，台积电新的3nm制造工艺的次品率约为30%，但根据独家条款，该公司仅向苹果收取良品芯片的费用！
今日看点丨传三星3纳米工艺平台第三款产品投片；vivo 推出 6nm 自研影像芯片 V3
营收大幅下降，同比下降22%至469.15亿美元，三星半导体部门（包括内存、SoC和代工业务）的营收下降至298.6亿美元，同比下降48%，业务亏损34亿美元。作为三星收益报告的一部分，该公司还透露其第三款3nm(
发表于 07-31 10:56
•512次阅读
三星3nm GAA正式商业量产
一篇拆解报告，称比特微电子的Whatsminer M56S++矿机所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工艺。这一发现证实了三星3nm
三星3nm GAA正式商业量产 首家客户及芯片型号被曝光
大约一年前，三星正式开始采用其 SF3E（3nm 级、早期全栅）工艺技术大批量生产芯片，但没有无晶圆厂芯片设计商证实其产品使用了该节点。
三星3nm良率已经超过台积电？
目前三星在4nm工艺方面的良率为75%，稍低于台积电的80%。然而，通过加强对3nm技术的发展，三星有望在未来赶超台积电。
工商网监
评论