恩杰H510魔兽世界限量版机箱发布，将于2020年1月正式开售
据消息报道，NZXT（恩杰）推出H510魔兽世界限量版机箱，具有联盟和部落两个版本，价格为850波兰兹罗提（约合人民币1553元）。
据了解，NZXT（恩杰）H510魔兽世界限量版机箱采用了“部落红”和“联盟蓝”两种配色，机箱四周带有魔兽世界的元素。这是一款中塔ATX机箱，尺寸为210 x 460 x 428mm，重量约为6.6kg。配置方面，显卡的长度可达380mm，CPU散热最高为165mm。
散热方面，支持前2*120mm或2*140mm风扇（已安装1个120mm的Aer F120机箱风扇）、顶部120mm或140mm风扇，后置120mm风扇（已安装1个120mm的Aer F120机箱风扇）。
接口方面，具有1个USB Type-C、1个USB Type-A和耳机音频插孔。价格方面为850波兰兹罗提（约合人民币1553元），将于2020年1月正式开售。
责任编辑：gt
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
机箱
+关注
关注
2文章
194浏览量
22080 -
cpu
+关注
关注
68文章
11378浏览量
226493 -
显卡
+关注
关注
17文章
2525浏览量
71805
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
恩智浦发布2025年企业可持续发展报告
日前，恩智浦发布了《2025年企业可持续发展报告》，全面总结了2025年恩智浦在环境、团队与治理方面持续推进可持续发展的目标和举措，以及所取
10米/秒，刷新世界纪录！宇树科技H1速度逼近人类百米巅峰速度
4月11日，宇树科技（Unitree Robotics）发布最新演示影片，宣布旗下人形机器人 H1 跑步速度实测峰值速度已正式达到10米/秒，直接刷新人形机器人的世界纪录。而现在100
深入了解PCM510x-Q1系列立体声DAC：技术特性与应用指南
： PCM5102TPWRQ1.pdf 产品概述 PCM510x-Q1系列包括PCM5100-Q1（预发布）、PCM5101-Q1（预
派恩杰荣获德业股份2025年度战略合作奖
，共同回顾合作成果，展望未来发展。作为长期合作伙伴，派恩杰受邀出席大会，并荣获德业股份2025年度“战略合作奖”，成为获此殊荣的11家供应商之一。
派恩杰SiC DCM半桥模块产品优势介绍
派恩杰DCM模块的底层优势在于芯片设计与封装工艺的深度协同，作为国内少数拥有全套“银烧结+DTS双面散热”技术的公司，其自主设计的超低寄生电感架构，将杂散电感降低至行业领先的标准，确保了模块100kHz高频下的极致效率。
上海医博会将于2026年6月24日-26日举办
2026上海国际医疗器械展览会
网站：www.zhanyamedical.com
创新科技 智造健康
展会日期：2026年6月24日-26日
展会地点：上海世博展览馆（浦东新区国展路1099号
发表于 11-17 13:55
派恩杰碳化硅产品斩获欧洲头部车企订单
近日，派恩杰半导体顺利斩获欧洲头部车企的量产订单。这一重大跨越标志着派恩杰在碳化硅（SiC）功率器件领域的技术实力与产品质量获得国际顶尖车企的高度认可，进一步推动碳化硅技术在全球新能源
第三代半导体功率器件企业派恩杰获“2025寻找宁波最具投资价值企业”最具潜力奖!
，最终评选出四大领域荣誉。凭借深厚的技术积累、巨大的市场潜力以及卓越的创新实力，派恩杰半导体在本次评选中荣幸获得“2025寻找宁波最具投资价值企业”最具潜力奖。 于2024年落户宁波·前湾新区的派
派恩杰第四代碳化硅产品在AI基建的应用
在 AI 基建中，碳化硅(SiC)凭借高频高效、耐高温、高功率密度等特性，成为解决 “算力飙升与能耗、空间、散热瓶颈” 矛盾的核心材料。从数据中心的电源系统到边缘 AI 设备的稳定运行，派恩杰第四代碳化硅正深度渗透到 AI 基建的全链条。
聚焦全球能源转型，共创产业新机遇，2025世界电池及储能产业博览会即将于8月8日广州启幕
聚焦全球能源转型，共创产业新机遇，2025世界电池及储能产业博览会即将于8月8日广州启幕
派恩杰发布第四代SiC MOSFET系列产品
近日，派恩杰半导体正式发布基于第四代平面栅工艺的SiC MOSFET系列产品。该系列在750V电压平台下，5mm × 5mm芯片尺寸产品的导通电阻RDS(on)最低可达7mΩ，达到国际领先水平。相比
中国RoHS管控领域首个强制性国家标准，将于2027年8月1日实施
核心事件2025年8月1日，国家标准化管理委员会正式发布《电器电子产品有害物质限制使用要求》（GB26572-2025），这是中国RoHS管控领域首个强制性国家标准，
派恩杰3300V MOSFET晶圆的应用场景
派恩杰3300V MOSFET晶圆，专为高耐压场景设计的第三代半导体功率器件核心材料，基于4H-SiC晶圆，击穿电压达3300V以上，相比于传统硅基器件(如IGBT)，它在高压、高温、高频场景下性能
派恩杰半导体SNEC 2025圆满收官
近日，全球最具影响力的国际化、专业化、规模化光伏盛会“SNEC第十八届国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会”圆满闭幕。派恩杰半导体在【6.1H馆 A155展位】重磅开展了新品发布、技术
评论