中科院科学家研发出新型垂直纳米环栅晶体管技术

（文章来源：机器之能）

众所周知，手机芯片对于手机就像主机对于电脑一样，十分重要。而在前段时间高通发布的合作伙伴中有很大一部分来自中国，像小米，OPPO，vivo等都是其重要的客户。这在很大程度上表现出我国在手机芯片方面的弱势地位。但是这也不意味着我国就没有拿得出手的手机芯片，像华为和联发科新推出的5G芯片天机1000就是一款能够与高通骁龙对抗的手机芯片。

台积电目前最先进的就是7nm+Euv工艺制程，他也是目前全球最领先的芯片制造技术，华为新款的麒麟990 5G芯片就是源自台积电的技术，指甲盖大小的芯片里面内置超100亿个晶体管，华为首次将5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，在技术上实现了巨大的突破，也成为国产芯片的一座里程碑。

在过去的三十年里，中国科技力量不断发展，不断进步，却依旧与美国有着很大的差距，核心技术也被美企所垄断，好在我们足够努力，差距也正在一点点的缩小，正是如此，在这些年里我国也诞生了一些出色的芯片公司，就在这时，中科院传来“好消息”，技术创新出现新突破，国芯的未来可期！

据了解中科院科学家研发出的新型垂直纳米环栅晶体管技术，可以直接把我国芯片制造的技术提升到2nm以下，这项技术把国内芯片技术拉高了好几个等级，弯道超车，闯入世界芯片制造的前列。这也意味着我国在芯片制造领域取得了重大的突破。

大家都知道，芯片集成度越高也就意味着制造的难度越大，台积电拥有全球最先进的光刻机，可以实现7nm代工，但是目前有些技术方面还是被西方国家垄断，先进的芯片制程技术还被台积电和三星等外企所垄断，还好中国在不断的创新，不断的突破，据中科院最新研究结果表明，我国已经实现了世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管，此项研究成果已经在权威杂志《IEEE Electron Device Letters》发表，并且获得多项中、美发明专利的授权！

在此之前，Intel首发22nm FinFET工艺，后来全区开始有了22/16/14nmFinFET鳍式晶体管，如今已经进入到了最低3nm，三星也对外宣布用3nm节点改用GAA环绕栅极晶体管，所以对比下来中科院的这项研究成果意义重大，这种新型垂直纳米环栅晶体管被视为2nm及以下工艺的主要技术候选，对我国芯片制造产业会有巨大的推动作用，国产芯片技术的“破冰”，也在一定程度上表现出我国在向世界顶级强国的路上越走越远。

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