联电宣布22nm技术就绪

图片来源：联电

12月2日，中国***半导体代工厂联电（UMC）宣布，在首次成功使用硅技术之后，其22nm制程技术已准备就绪。

该公司称，全球面积最小、使用22nm制程技术的USB 2.0通过硅验证，证明了联电22纳米工艺的稳健性。

新的芯片设计可使用22nm设计准则或遵循28nm到22nm的转换流程（Porting Methodology），无需更改现有的28nm设计架构，因此客户可放心地使用新的芯片设计或直接从28nm移转到更先进的22nm制程。

联电知识产权开发与设计支持部总监陈永辉表示：“由于联电致力于提供世界领先的代工专业技术，公司继续推出新的专业工艺产品，以服务于快速增长的5G，物联网和无线市场。汽车IC。我们很高兴能为代工客户提供22nm工艺，因为我们已竭尽全力确保该技术的竞争性能，面积和易于设计。”

联电的22nm制程与原本的28nm高介电系数/金属栅极制程缩减10％的晶粒面积、拥有更佳的功率效能比，以及强化射频性能等特点。另外也提供了与28nm制程技术相容的设计规则和相同的光罩数的22nm超低功耗 （22uLP）版本，以及22nm超低泄漏 （22uLL）版本。此22uLP和22uLL所形成的超级组合，可支援1.0V至0.6V的电压，协助客户在系统单芯片（SoC）设计中同时享有两种技术的优势。

22nm制程平台拥有基础元件IP支援，为市场上各种半导体应用，包括消费性电子的机上盒、数位电视、监视器、电源或漏电敏感的物联网芯片（附带蓝牙或WiFi）和需要较长电池寿命可穿戴式产品的理想选择。