我国光刻机实现弯道超车，突破了9nm的技术瓶颈

（文章来源：笔录科技）

如今的社会一直在不断的发展之中，有许多互联网作为背景的企业逐渐崛起，尤其是在通信领域这一方面，作为我国通信领域的巨头企业的华为，在第五代通信技术领域上完美实现了弯道超车，目前已经成功跻身进入世界一流的前沿。

其实目前在互联网行业以及通信领域上，我国的科技企业已经都成功实现了弯道超车。只不过在一些关键零部件方面上，我国的科技企业依旧是需要国外进口，芯片便是最好的例子。芯片技术所存在的技术短板问题，这导致我国在进口芯片的时候完全没有议价权，并且还有可能受到对方“卡脖子”的境况，中兴和华为所遭遇的事情不就是在告诉我们芯片技术受限于外人所带来的弊端？

一般情况下，芯片的制造分为两个方面，一是芯片的设计，二则是在芯片的制造问题上。目前在芯片设计方面，我国的华为海思在内的中国科技企业已经实现了技术性突破；但是在芯片制造上，我国的科技企业仍旧是受限于人，然而我们从本质上分析的话，在芯片制造上落后的问题主要在于光刻机技术十分落后。

也许有人不太明白，简单来说就是，芯片想要制造出来的话，必须有光刻机的存在才可以把其图片演变成一个真实的存在。目前的光刻机制造水平，大多数人是以14nm为主的建筑师。而最先进的则是荷兰ASML公司所制造的7mm的工艺光刻机。正式因为才缺少光刻机所以才能与他们达成一致，但是这样也会在一定程度上扼制我们的发展。

所以在意识到这个问题的严重性后，我国也的努力的制造光刻机并且在其领域投入了大量的人物以及财务。但是我们制造的光刻机的工艺仅限于28nm和14nm，和7nm工艺之间还存在着不小的差距。不过在最近一段时间内，中国芯片突然传出一个好消息！我国的光刻机实现了弯道超车，已经突破了9nm技术瓶颈。

根据媒体在之前的报道我们得知，由武汉光电国家研究中心的甘棕松团队，现在已经成功的研制出9nm工艺的光刻机。这次研制出来的光刻机技术与其他国家的是完全不同的，国产的光刻机是利用二束激光在自研的光刻机上突破了光束衍射极限的限制，这才刻出了最小的9nm线宽的线段，这也就是说这是属于我们独有的技术，所以有着我们自主的产权。

但是现在的9nm光刻机技术仍旧还处于试验阶段，与7nm工艺之间也是存在着一定的差距，即使我们现在无法超越荷兰的ASML，但是我们最起码可以与日本和德国的光刻机技术一较高下，我们的技术突破也只是时间问题罢了。

（责任编辑：fqj）