ML51FB9AE 为内建 Flash 的增强型 1T 8051 内核微控制器,正常运行模式典型功耗可达 80 uA/MHz 以及休眠模式下功耗可低于 1 uA。此系列最高速可达 24 MHz,并内建 38.4 kHz 低速内部振荡器,支持宽电压工作范围 1.8 V 至 5.5 V 工作温度: - 40 ℃ 至 105 ℃。
ML51FB9AE 包含 16 K 字节的 Flash 以及一个额外 1 K 字节片上辅助 RAM(XRAM), 备有丰富的外设,如 16 个通用 I/O、2 组串口、1 组 ISO-7816 界面、2 组 I²C 与 1 组 SPI,并提供 TSSOP20 封装。
目标应用:
穿戴式装置、智能摇控器、互联网端点设备、智能家居、烟感侦测装置、电池装置等。
关键特性:
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规格数据
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