关于TMR线性传感器TMR2905的产品特性介绍和应用

TMR2905采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2905性能优越，采用的封装形式： SOP8（6mm x 5mm x 1.5mm）。

典型输出曲线

下图列出了TMR2905传感器输出随外加磁场强度变化（外加磁场±5 Oe、±30 Oe，工作电源1V）的典型曲线。

引脚定义及功能框图

(SOP8 顶视图)

引脚号	符号	引脚描述
3	GND	地
4	V-	模拟差分输出 2
5	V+	模拟差分输出 1
6	VCC	电源
1、2、7、8	N/A	空脚

极限参数

参数	符号	限值	单位
工作电压	VCC	7	V
反向供电电压	VRCC	7	V
外加磁场	H	3000	Oe(1)
ESD 性能(HBM)	VESD	4000	V
使用温度	TA	-40 ~ 125	°C
存储温度	Tstg	-50 ~ 150	°C

性能参数(VCC=1.0V,TA=25°C,差分输出)

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
工作电压	VCC	正常工作		1	7	V
工作电流	ICC	输出开路		0.2(2)		mA
电阻值	R		2	5	8	kOhm
灵敏度	SEN	在±5 Oe范围拟合	45		60	mV/V/Oe
饱和磁场	Hsat			±10		Oe
非线性度	NONL	在±5 Oe范围拟合		2		%FS
失调电压	Voffset		-30		30	mV/V
磁滞	Hys	在±5 Oe范围拟合			2	Oe
电阻值温度系数	TCR	H =0 Oe		-500		PPM/°C
灵敏度温度系数	TCS			-1100		PPM/°C

注：

（1）1Oe (Oersted) =1Gaussinair=0.1 millitesla= 79.8A/m。

（2）ICC= VCC/R, 不同产品的阻值不同，因此工作电流Icc在1V供电时会有所不同,可根据要求定制。

（3）具体详情请咨询江苏多维科技有限公司。

封装尺寸

SOP8封装图：

传感元件位置

SOP8封装

单位：毫米

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