带你探秘为什么三大巨头会霸占96%市场，DRAM领域如何走到今天巨头垄断的局面

三巨头占据市场96%的市场份额，DRAM领域是如何走到今天巨头垄断局面的呢？诉讼不会从根本上解决巨头联合操纵价格的问题，更多DRAM厂商崛起形成牵制作用才是正道，国内近几年在DRAM上也有相当多的投入，何时能够实现自主生产也是大家关心的重点话题。

4月28日，Hagens Berman事务所律师表示，他们调查发现三星电子、海力士和美光科技互相勾结，限制市场上各种DRAM产品的供应，从而人为地推高了DRAM价格，因此该律所代表全体美国消费者，在美国加州北部地区法院向这三家企业提起集体诉讼，指控这三家DRAM供应厂家操纵DRAM存储器价格。

截至2017年年中，三星、海力士、美光三家制造商总共占据96%的全球DRAM芯片市场份额，其中三星大约控制三分之二。在集体诉讼指控的时间段里，DRAM的价格上涨了130%。报道称，在同一时间段，三星电子，海力士公司和美光科技的DRAM销售收入增长了一倍多。

该诉讼指控称，DRAM供应商作出“统一供应决定”来限制DRAM的供应，从而使2016年和2017年产品的价格暴涨，最终导致关键内存产品的价格在此期间飙升。

DRAM领域是如何从80年代的40~50家企业，减少到目前96%市场份额只由三星、海力士、美光三家制造商垄断状况的？

1韩国三星是主要推手

1996-2011年间，以三星为代表的韩国半导体企业充分利用了存储器行业的强周期特点，依靠政府的输血，在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候，逆势疯狂扩产，通过大规模生产进一步下杀产品价格， 从而逼竞争对手退出市场甚至直接破产。

在存储器领域，三星一共祭出过三次“反周期定律”。

20 世纪 80 年代中期，DRAM 芯片价格不断下探，但三星逆周期投资，继续扩大产能，并开发更大容量的 DRAM。1987 年，行业出现转折。美国政府发起针对日本半导体企业的反倾销诉讼案，很快 DRAM 价格回升，三星开始盈利。

1996~1999 年期间，全世界 DRAM 芯片的年营销额呈现负增长态势时，三星却在此时积极兴建它的四个分厂，该策略对日后三星 DRAM 芯片营收大幅增长起到巨大作用。

2007 年初，对 DRAM 需求量大的 Vista 操作系统销量不及预期，DRAM 供过于求价格下挫， 加上 08 年金融危机的雪上加霜，DRAM 颗粒价格从 2.25 美金暴跌至 0.31 美金。三星将 2007 年公司总利润的 118%用于 DRAM 扩产，故意加剧行业亏损，DRAM 价格 2008 年中跌破了现金成本，2008 年底更是跌破了材料成本，2009 年初，德系厂商奇梦达宣布破产，2012 年初，日系厂商尔必达宣布破产，三星市占率进一步提升，稳坐 DRAM 行业霸主之位。

到此为止，全球DRAM领域巨头就只有三星、海力士和美光了。

早在1981-1995年，三星就在DRAM领域打下坚实基础。

1981年，在韩国政府的推动下，三星、现代和金星大举参与超大规模集成电路技术水平的大规模芯片生产，尤其类似DRAM的金属氧化物半导体内存芯片生产。

事实上，三星基本上引领了韩国DRAM 产业的发展。

1982 年，三星建立了半导体研究与开发实验室， 主要集中于双极和金属氧化物半导体(MOS)的研制；

1983 年，三星在京畿道器兴地区建成首个芯片厂，并成功大批量量产 64K DRAM，其设计技术从美光公司获得，加工工艺从日本夏普公司获得，当年三星取得了夏普“互补金属氧化物半导体工艺”的许可协议。

1984 年,三星生产出 6 英寸晶圆并开发出了 256K DRAM,挤进全球芯片领域一线阵容，此时英特尔、日立和 NEC 等技术领先企业正在试生产 6 英寸的晶圆。

1985 年，三星输出首批超大规模集成电路产品——64K DRAM； 研发出 256K   DRAM，而且取得了英特尔“微处理器技术”的许可协议。

1986 年，三星开始大规模生产 256K DRAM；同时开发出 1M DRAM。在这一年，三星经济研究院（SERI）成立，标志着三星开始走上自主研发的道路。同年，金星半导体公司在 256K SRAM 微晶片的制造技术上有了重大突破。

1987 年，电子通信研究所联盟（ETRI）生产出 4M DRAM 原型，三星等大企业也从中得到相当多的技术经验，这直接促使三星在 1988 年研制出 4M DRAM。

1990 年，三星开发出世界第三个 16M DRAM。进入 90 年代,韩国 DRAM 技术的国产化步伐加快,水平也有很大的提高,16MRAM、64M DRAM 相继在 1990 年、1992 年开发成功,256M 和 1G DRAM 接踵于 1994 年、1995 年问世，韩国在 DRAM 领域超过日本，摘下世界第一的桂冠。

1981-1995年这十几年的发展和沉淀，为三星后续发起多次“反周期定律”价格战打下了坚实基础。

很明显，在三星发起的多次价格战下，DRAM领域多数厂商走向破产，从而逐渐形成目前仅剩几家垄断市场的状况。

2国内何时能自主生产DRAM ?

面对巨头联合操控DRAM价格，提起诉讼不会从根本上解决问题，即时他们被强制要求罚款（或许根本不会罚），之后他们仍然可能继续操控价格，因为没有挑战者，下游厂商还是必须买他们的产品。

为了打破目前被垄断的局面，近几年国内在DRAM领域也有相当多的投入。目前在DRAM 领域有投入的包括合肥长鑫、福建晋华、长江存储这三家。

合肥长鑫

2018年4月15日，在合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”中，睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国在介绍合肥长鑫存储器项目的 5 年规划时表示，希望 2018 年底第一个中国自主研发的 DRAM 芯片能够在合肥诞生。

项目进展

2018年1月，已经完成DRAM内存芯片一期（一厂厂房）建设；

2018年底将开始生产8Gb DDR4存储器的工程样品；

2019年底有望达到2万片/月的产能；

2020年再开始规划二厂厂房的建设；

2021年要完成对17nm工艺节点的技术研发。

如果合肥长鑫存储项目正式投产，预计将在DRAM市场占得约8%的市场份额。

福建晋华

国家重点支持DRAM存储器生产项目，由福建省电子信息集团及泉州、晋江两级政府共同投资。项目被国家纳入了“十三五”集成电路重大生产力布局规划项目列表，并获得首笔30亿元人民币的国家专项建设基金支持。

该项目由台联电与晋华合作开展，双方曾签署了技术合作协议，项目接受晋华委托并开发DRAM存储器相关的制程技术，晋华则提供DRAM特用设备并依开发进度支付技术报酬金作为开发费用，开发成果由双方共同拥有。

项目进展

2017年11月，已完成封顶；

2018年7月，预计迁入机台设备；

2018年第 3 季度一期项目开始投产，预计达到6万片/月的产能规模；

目前，整个项目正在加速推进中，希望能够提前投产。

长江存储

也在推进20/18nm的DRAM开发，但是目前重心放在3D NAND flash的开发上面。按照长江存储的说法，DRAM进度慢于NAND FLASH，那么DRAM量产最快是在2020年。

总结语：相隔三十多年的差距，想在几年时间内实现赶超是很艰难的，然而从近几年的进展可以看出，多一份投入也就多一份成绩，今年和明年国内将会逐渐拥有自己量产的DRAM芯片，未来能否在价格上不被巨头联合操纵控制，需要付出的努力还很多。