计算机的dram和sram有何区别

　　随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

　　存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器（英文：Static RAM，SRAM）和动态随机存储器（英文Dynamic RAM，DRAM）。

　　这篇文章主要就是来说计算机的dram和sram有何区别，小编把dram和sram这两个的相关信息做了个对比汇总一起来了解一下。

　　

　　DRAM介绍

　　利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。

　　由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。

　　SRAM介绍

　　利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。

　　以上主要用于系统内存储器，容量大，不需要断电后仍保存数据的。

　　计算机的dram和sram有何区别

　　静态存储单元（SRAM）

　　●存储原理：由触发器存储数据

　　●单元结构：六管NMOS或OS构成

　　●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache

　　●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大

　　●常用的SRAM集成芯片：6116（2K×8位），6264（8K×8位），62256（32K×8位），2114（1K×4位）

　　动态存储单元（DRAM）

　　●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元）

　　●刷新（再生）：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作

　　●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。

　　●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低

　　●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较DRAM慢，所以在计算机中，SRAM常用于作主存储器。尽管如此，由于DRAM［1］存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。